Cur semper difficile est virtutem altam MOSFET probare et cum multimetris uti reponendam?

DE MOSFET potentia summus unus fuit fabrum acer ad disputandum de re, quam de communi et inusitata scientia constituimus.MOSFET, spero adiuvare fabrum. De MOSFET fama, gravissima pars!

Anti-static praesidium

MOSFET potestas alta est porta insulae campi effectus tubus, porta nulla est directa circuitio currentis, initus impeditio est altissima, facillime est causa aggregationis crimen static, unde in alta intentione porta et fons erit. insulating iacuit inter naufragii.

Plurimae primaevae productionis MOSFETs mensuras anti-staticae non habent, ita diligenter in custodia et applicatione, praesertim potentiae MOSFETs minores, propter potentiam input MOSFET minoris capacitatis secundum quid parvum est, cum electricitatis statice expositae generat. superiore intentione, facile ab electrostatic naufragii.

Recens amplificatio summus potentiae MOSFET relative magna differentia est, imprimis ob functionem capacitatis inputationis maioris maior etiam, ita ut contactum cum electricitate static processum praecurrens habeat, in minori intentione proveniens, naufragii causans. possibilitatis minoris, ac deinde iterum, nunc summus potestas MOSFET in porta interna et fons portae et fons praesidentis regulatoris DZ, stabilis infixa tutelae diode moderatoris. voltage moderator valorem Infra, efficaciter portam et fontem in strato insulating tueri, diversa potentia, diversa exemplaria tutelae MOSFET praesidentis diode voltage moderatoris valor diversus est.

Licet summus potentiae MOSFET tutelae internae mensurae, operari debeamus secundum rationes anti-staticas operandi, quae baculum sustentationis idoneum habere debet.

Deprehensio et postea

In televisificis et electricis instrumentis reparandis varia damna componentium occurrent;MOSFETest etiam apud eos, qui quomodo ad victum nostrum virgam uti communiter multimeter ad bonos et malos determinandos, bonos et malos MOSFET. In MOSFET substitutione, si nulla est eadem fabrica et idem exemplar, quomodo problema succedat.

I, summus potentiae MOSFET test;

Sicut in reparatione electrica TV generatim personas in mensuratione transistorum vel diodi cristalli, plerumque multimetro ordinario utens ad transistores vel diodes bonos et malos determinare, quamvis iudicium transistoris vel diodi parametri electrici confirmari non potest, sed quamdiu. modus est corrigendus ad confirmationem transistorum cristallorum "bonorum" et "malium" seu "malium" ad confirmationem transistorum cristalli. "Malum" vel nulla quaestio. Similiter MOSFET etiam esse potest

Multimeters uti ad determinare suum "bonum" et "male", ex generali sustentatione, etiam necessitatibus occurrere possunt.

Deprehensio regulae multimetris uti debet (metri digitalis non est apta ad machinas semiconductores metiendas). Potentia-type MOSFET tubi mutandi sunt amplificatio N-canale, artificia fabricantium fere omnes eadem forma sarcina TO-220F utuntur (refert ad vim mutandi copia pro potentia 50-200W agri effectum tubi mutandi) constat quoque tres electrode, id est tres

Paxillus deorsum, exemplar impressum versus sui, laevum clavum ad portam, dextrum clavum ad fontem, medium clavum ad exhauriendum.

(1) multimeter et comparatio cognata;

Imprimis, antequam mensurae multimetris, praesertim applicatio olim calces, uti possint, intelligere ohm scandalum erit recta applicatio ohm stipis ut metiatur transistoris crystallini etMOSFET.

Cum multimeter ohm clausus ohm centrum scalae nimis magnus esse non potest, potius quam 12 Ω (D-typus tabula pro 12 Ω), ut in R × 1 scandalum maiorem habere possit currentem, pro PN coniunctione anterioris. notae sententiae accuratius. Multimeter R × 10K angustus interna pugna optima maior est quam 9V, ut in metiendo PN coniunctas inversas lacus venas accuratior sit, alioquin lacus metiri non potest.

Nunc ex progressu productionis processus officinarum protegendorum, probatio severissima est, vulgo judicamus dum judicium MOSFET non lacus, per ambitum brevem non irrumpere, internum non-circuitu esse potest. modus ampliatur perquam simplex;

Multimetro R × 10K utens stipitem; R 10K angustus interna pugna fere 9V plus 1.5V ad 10.5V haec intentione plerumque satis iudicatur esse PN juncturas inversionis lacus, ruber stylus multimetri potentialis negativus (connexus cum termino negativo interni altilium), est stylus multimetri niger potentialis positivus est (connexus cum termino positivo pugnae internae).

(2) Test procedendi;

Coniunge calamum rubrum ad fontem MOSFET S; stylum nigrum coniungere ad exhauriendam MOSFET D. Hoc tempore, acus indicatio infinitas esse debet. Si index ohmicus est, ostendens tubum sub test phaenomenon lacus habere, hoc tubus adhiberi non potest.

Sustineas statum supradictum; hoc tempore cum 100K~200K resistor portae annexis et exhaurire; hoc tempore acus numerum ohmarum quo minus melius indicari debet, plerumque 0 ohms indicari potest, hoc tempore positivum crimen est per 100K resistentem in portam MOSFET incurrentem, ex porta electrici in campo provenientem. campus electricus generatus a canali conductivo inde in exhauriunt et in fonte conductionis, sic multimeter acus deflexio, angulus magnus deflexio (Ohm index parvus est) ad probandum missionem effectus bonum esse.

Et tunc resistenti adnexa sublata, monstrator multimeter adhuc MOSFET in indice mutatus esse debet. Etsi resistor auferre potest, sed quia resistor ad portam obicitur non evanescit, porta campi electrici pergit conservare canalem internum conductivum adhuc servatur, quod proprietatum est generis MOSFET portae insulatae.

Si resistor ad acum auferendum erit, lente et gradatim ad resistentiam altam revertatur vel etiam in infinitum revertatur, considera ut tubulum portae mensuratae ultrices.

Hoc tempore cum filo, portae et fonte tubi sub experimento connexo, monstrator multimetri statim in infinitum rediit. Connexio filum ut MOSFET mensuratum, crimen portae emissio, campus electricus internus evanescit; alveus conductivus etiam evanescit, sic exhauriente ac fonte inter resistentiam et infinita fiunt.

II, summus potentiae MOSFET replacement

In reparatione televisificarum et omnium generum electricorum, inveniens damnum componentium reparari debet cum eadem specie partium. Aliquando tamen eaedem partes non adsunt, utendum est aliis generibus reponendarum, ut rationem consideremus omnes effectus, parametri, dimensiones, etc., ut televisificae intra lineam output tubi, ut. dum consideratio voltage, currentis, potentia fere reponi potest (linea output tube fere eadem dimensiones speciei), potentia tendit ut maior et melior sit.

Nam MOSFET repositum, licet hoc quoque principium, optimum est prototypum optimum, in specie, non ut maior sit potestas, quia magna potentia est; capacitas input magna, mutata et excitatio gyrorum non aequant excitationem criminis limitandi resistor irrigationis circa ambitum quantitatis resistentiae et capacitas MOSFET initus comparatur ad electionem virtutis magnae obstante. capacitas magna, sed input capacitas magna est, et input capacitas etiam magna est, et potestas non magna est.

Input capacitas etiam magna est, ambitus excitatio non est bona, quae vicissim MOSFET in et off perficientur deteriorem faciet. Reponendam diversorum exemplorum MOSFETs rationem ostendit, ratione initus capacitatis huius parametri.

Exempli gratia, est 42-inch LCD TV damnum summus voltatio tabulae backlight, post reprehendo damnum internae summum potentiae MOSFET, quia numerus prototypus non est repositum, electio intentionis, currentis, potentiae non minus quam original MOSFET repositum, effectus tubus backlight videtur continuus esse flammis (difficultatibus startup) et tandem substitutus cum eodem typo originali ad problema solvendum.

Deprehensio damnum in summus potentiae MOSFET, substitutio partium peripheralium perfusionis ambitus etiam restitui debet, quia damnum ad MOSFET etiam pauperem perfusionem partium partium per detrimentum MOSFET esse potest. Etiamsi MOSFET ipsum laeditur, momentoque MOSFET defluit, perfusio quoque partium laeditur et reponi debet.

Sicut nos multum callidi in reparatione domini in reparatione mutandi A3 virtutis copia; dum commutatio tubi effringendi reperitur, est etiam anterior 2SC3807 tubi excitationis una cum reposito eiusdem rationis (quamvis 2SC3807 tubus multimeter mensuratus est).