Quid PMOSFET, scis?

I. Basic structura et opus principium

1. Vulgate

PMOSFETs habent n-types subiectas et canales p, earumque structura principaliter portae (G), fons (S) et exhauriens consistit (D). In substrato silicon-typo duae sunt regiones P+ quae fonte ac fundamento praestent, et inter se per canalem connexae sunt. Porta super alveum sita est et ab alveo metallica oxydatis insulating iacuit solitaria.

2. Principia operandi

PMOSFETs similiter agunt in NMOSFETs, sed cum opposito portantium genere. In a PMOSFET, portatores principales foramina sunt. Cum negativa intentione portae respectu fontis applicatur, p-typus inversus iacuit in superficie speciei pii sub porta formatur, quae fossae connectens fontem et exhaurit. Mutans intentionem portae densitatem foraminum in canali mutat, unde conductivity canalis moderatur. Cum porta intentione satis humilis est, densitas foraminum in canali satis altam attingit planitiem ut conductionem inter fontem et exhauriat; e contrario alveo intercludit.

II. Characteres et applicationes

1. Characteres

Mobilitas humilis: transistores P-fluvi MOS mobilitatem cavum relative humilem habent, ergo transconductio transistorum PMOS minor est quam NMOS transistorum sub eadem geometria et intentione operante.

Apta ad celeritatem humilis, applicationes humilium frequentiae: Ob mobilitatem inferiorem, circuli AMOS integrati aptiores sunt applicationibus in locis humilibus velocitatibus, locis humilibus frequentiae.

Conditiones conductionis: Conditiones conductionis PMOSFETs NMOSFETs oppositae sunt, porta intentione inferiorem quam fons voltage postulant.

1. Applications

Alta Latus Commixtio: PMOSFETs typice usi sunt in figurarum commutatione commutatione laterali ubi fons coniungitur cum copia positiva et exhaurire iungitur ad finem positivi oneris. Cum PMOSFET conductus est, finem positivum oneris cum copia positiva coniungit, currentem per onus fluere sinit. Haec conformatio usitatissima est in locis sicut administratio et motor potentia impellit.

Praesidium inversae Circuitus: PMOSFETs etiam in contrariis gyrationibus tutelae adhiberi possunt ad praecavendam incommodum gyri ex copia vel onere currentium regressuum ex contrariis potentiae causatis.

III. Design and considerations

1. PORTA VOLTAGE MAGISTERIUM

Cum circulos PMOSFET designans, moderatio accurata portae intentionis opus est ad propriam operationem curandam. Cum PMOSFETs conductionis condiciones his NMOSFETs contrariae sunt, attentio ad verticitatem et magnitudinem portae intentionis praestanda est.

2. nexum Lond

Cum onere connectens, attentio praestanda est ad verticitatem oneris ad curandum ut vena per PMOSFET recte fluat, et effectus oneris in PMOSFET exercendo, ut gutta voltage, potentia consummatio, etc. quoque considerandum est.

3. Temperatura stabilitas

Effectus PMOSFETs valde afficitur temperamento, ut effectus temperationis in agendis PMOSFETs ratio habenda est cum gyrationes meditantur, et mensurae debitae ad stabilitatem gyrationis emendandam censentur.

4. Praesidium circuitus

Ad impedire PMOSFETs ne laedatur in operatione supercurrente et overvoltage, circuitus tutelae ut tutelae supercurrentium et tutelae curarum, opus in circuitu instituatur. Hi ambitus tutelae efficaciter tueri possunt PMOSFET et eius officium vitae extendere.

In summa, PMOSFET genus MOSFET est speciali structurae et operationis principium. Eius mobilitas humilis et congruentia ad celeritatem humilis, applicationes frequentiae humilis eam in certis campis late obtinent. Cum circulos PMOSFET designando, attentio praestanda est ad portae intentionis imperium, nexus onerandum, stabilitatem temperandam et circuitus tutelae ad operationem propriam ac firmitatem circuitus curandi.