Quaenam sunt causae caloris in MOSFET invertentis?

Inverter'sMOSFETsagunt in commutatione statu et vena per tubos altissima defluens. Si tubus non recte electus est, incessus intentionis amplitudinis non satis magnae vel dissipationis caloris ambitus non est bonus, MOSFET calefacere causare potest.

1, inverter MOSFET calefactio gravis est, observandum ad MOSFET lectio

MOSFET in inverto in commutatione statu, plerumque venam suam quam maximas exhauriunt, ob resistentiam quam minimam fieri potest, quae saturitatem voltagenarum stillam tubi minuere potest, inde fistulam post consummationem minuendo calorem minuere potest.

Perscriptio manualis MOSFET, inveniemus altiorem vim intentionis MOSFET obsistere, maiorem obsistentiam eius, et qui venas altas exhauriunt et infimum valorem voltage tubi sustinent, eius resistentia plerumque infra decem. milliohms.

Posito onere currenti 5A, eligimus invertentem vulgo MOSFET RU75N08R adhibitum et intentione valoris 500V 840 sustinere potest, detrito currenti in 5A vel plus, sed in-resistentia duarum fistularum diversa est, eundem currentem pellere. differentia eorum maxima est caloris. 75N08R in resistentia solum 0.008Ω, dum in resistentia 840 est 0.85Ω, cum onus vena per tubum fluit sunt 5A, 75N08R tubus voltage gutta tantum est 0,04V, hoc tempore consumptio tubi MOSFET est. tantum 0.2W, dum gutta voltage 840 tubus usque ad 4.25W esse potest, consumptio tubus aeque alta est quam 21.25W. Ex quo videri potest, quo magis MOSFET inversi resistentia melior est, contra resistentia tubi ampla est, consumptio tubi sub alta vena. MOSFET inverti resistentia parvus est. quam maxime.

2, incessus ambitus amplitudinis intentionis incessus non satis magnae

MOSFET moderatio intentionis est, si vis reducere tubi consumptionem, calorem minuere;MOSFETporta coegi intentione amplitudinis debet esse satis magna ad expellam pulsum ora ad ardua et recta, tubus voltage guttam reducere potes, tubum consummatio reducere.

III, MOSFET calor dissipatio non est bona causa

InverterMOSFETcalefactio gravis. Cum inverter MOSFET energiae consumptio magna est, opus plerumque requirit magnam satis externam campi calorisink, et calorsinkus externus et ipsum MOSFET inter heatsink arcte contactum esse debent (plerumque requiritur ut cum uncto silicone squalore thermally conductive obductis. ) , si calor externus minor est , aut contactus cum proprio MOSFET calorsink non satis propinquus , perducere potest ad calefactionem tubi .

MOSFET calefactio gravis quattuor rationes summae sunt.

MOSFET levis calefactio phaenomenon normale est, sed gravis calefactio, usque ad tubum uritur, causae sunt quae sequuntur;

I, quaestio de consilio ambitus

MOSFET opus sit in statu operante lineari, quam in statu mutando. Est etiam una ex causis MOSFET calefactionis. Si N-MOS commutationes facit, G-gradus intentionis paucas V altiores esse debet quam copiae copiae ut plene sint, dum oppositum est P-MOS. Non plene aperta et gutta intentionis est nimis magna proveniens in potentia consummationis, instar dc impedimento est maior, gutta intentionis crescit, sic U *i etiam crescit, damnum significat calorem. Hic error maxime fugiendus est in ratione circumeundi.

II, nimia frequentia

Praecipua ratio est, quia interdum nimia studio voluminis, unde in crebrescit, MOSFET detrimenta magna, sic etiam calor augetur.

III, non satis scelerisque consilio

Si vena nimis alta est, valor hodiernus MOSFET nominalis, plerumque requirit bonum caloris dissipationem ad consequendam. Ita ID minus quam maxima vena, etiam male calefacere, satis subsidii caloris subsidio egent.

IV, MOSFET lectio perperam

Nefas iudicium potestatis, MOSFET resistentia interna non plene considerata, inde in aucta mutandi impedientia.