Potentia MOSFET structura

Source Metal: Top metallum iacuit pro current collectio et distributio
n+ Source Regiones: Graviter doped regiones ad carrier iniectio
p- Corpus Regionis: Alveum gignit current fluxus
n- PERFLUO Regio: Voltage interclusio facultatem subsidia
n+ Substratum: Via humilis praebet resistentiam exhaurire
Exhaurire Metal: Fundum metalli contactum pro current fluxus

Potentia MOSFETs crucialorum partium in electronicis modernis potentiae sunt, quae altas voltages et excursus tractant. Investigemus earum singulares notas structurales quae facultatem efficientem facultatem tractandi efficiant.

Basic Structure Overview

Source Metallum ║ ╔═══╩═══╗ ║ n+ ║ n+ ║ Source ════╝ ╚════ p+ p Corpus n- perfluo Regio │ ═════ n+ Substratum ║ Exhaurire Metal

Cross-sectional conspectum typicam Power MOSFET

Vertical Structure

Dissimilis regularis MOSFETs, potentia MOSFETs structura verticali utuntur ubi vena a summo (fonte) ad fundum (exhauriat), maxima vena tractandi capacitas.