Small MOSFET Currentem habentes Circuit Fabricatio Application

A MOSFET ambitum tenens in quo sunt resistores R1-R6, capacitores electrolytici C1-C3, capacitor C4, PNP triodium VD1, diodes D1-D2, Nullam intermediam K1, intentionem comparatorum, tempus duplicatum basi integratum DOLO NE556, et MOSFET Q1; cum paxillo No. 6 ex duplicali basi temporis integrati chip N556 initus signum inserviens, et unus finis resistor R1 simul connexus. ad Pin 6 e basi temporis duplicati cum chip integrali NE556 adhibetur ut signum initus, unus finis resistoris R1 coniungitur cum 14 e basi binae temporis integratae chip NE556, unus finis resistor R2, unus finis resistor R4 emittor PNP transistoris VD1, exhauriens MOSFET Q1, DC potentiae copiae, alterque finis resistoris R1 coniungitur cum 1 basi dualis temporis. chip integrata NE556, paxillus 2 de basi duplicali-vicis integrato DOLO NE556, capaci- tatis electrolyticae capacitatis C1, et mediae Nullam. K1 normaliter clusus contactus K1-1, alter finis intermedii Nullam K1 normaliter contactus K1-1 clausus, polus negativus capacitor C1 electronici et unus finis capacitor C3 connexae sunt potentiae supplendi terram, alter finis capacitor C3 ad clavum 3 temporis dualis basi cum chip integrato NE556, paxillus 4 temporis dualis basi cum chip integrato NE556 coniungitur cum polo positivi capacitoris electronici C2 et alter finis resistoris R2 simul, et polus negativus capacitor C2 electronici connexus potentiae suppleat terram, et polus negativus capacitor electronici C2 coniungitur potentiae terram supplendi. Polus negativus C2 coniungitur potentiae supplendi terram, paxillus 5 temporis dualis basin doli integrati NE556 coniungitur cum uno fine resistor R3, alter finis resistoris R3 coniungitur cum positivo initus voltage comparatoris. , pars negativa initus voltage comparatoris coniungitur cum polo positivo diodae D1 et ad alium finem resistoris R4 simul, polus negativus diodae D1 cum potentia supplendi coniungitur; et ad finem resistoris R5, alter finis resistoris R5 coniungitur cum triplo PNP. Procuratio voltage comparatoris coniungitur uni extremo resistoris R5, alter finis resistoris R5 cum basi PNP transistoris VD1, collector transistoris VD1 PNP coniungitur cum polo positivo diodae. D2, polus negativus diodi D2, iungitur fini resistoris R6, fine capacitoris C4, porta MOSFET simul, alter finis. hujus resistoris R6, alter finis capacitoris C4, et alter finis mediae Nullam K1, omnes connexae potentiae copiam terrestrem, et alter finis medii Nullam K1 ad fontem fontis connectitur.MOSFET.

MOSFET retentionis circuii, cum A praebet signum felis humile, hoc tempore dualis basis temporis integralis chip NE556 posita, basis temporis dualis integralis chip NE556 pin 5 output altam gradum, altam in positivo initus voltage comparatoris, negativam phase input of voltage comparator a resistor R4 et diode D1 ut referat intentionem, hoc tempore, comparator output altam intentionem, altam ut Triode. VD1 conductus, currens a collectore triodi VD1 mandat capacitor C4 per diodum D2, et simul MOSFET Q1 perducit, hoc tempore, gyrus intermedii nullam K1 absorbetur, et intermedius Nullam K1 normaliter claudit. contactus K 1-1 disiungitur, et post medium Nullam K1 normaliter clausum contactum K 1-1 hians, copia potentiae DC ad 1 et 2 pedes basii duplicis temporis integrati chip NE556 Copiam intentionis praebet donec intentione in clavum 1 et paxillum 2 basii duplicis temporis integrati chip NE556 oneratur 2/3 copiarum intentionum, basis duplicalis temporis integralis chip NE556 automatice reset et paxillus 5 basis temporis duplicalis integritatis chippis NE556 sponte ad humilem gradum restituitur, et circuli subsequentes non laborant, dum hoc tempore capacitor C4 ad MOSFET Q1 conductionem conservandam usque ad finem emittitur. capacitas C4 obeundi et medium emissio Nullam K1 coilum, medium Nullam K1 normaliter clausum contactum K 11 clausus, hoc tempore per medium clausis Nullam K1 normaliter clausa contactus K 1-1 erit basis dualis temporis integralis chip NE556 1 pedalis et 2 pedes intentionis emissio emissio, tunc temporis ad duplicem basim cum chip integrali NE556 paxillus 6 providere felis signum humile ad faciendum tempus basis integralis chip NE556 pone praeparandum.

Circuitus structurae huius applicationis simplex et nova est, cum basis temporis dualis integrata chip NE556 paxillus 1 et paxillus 2 ad 2/3 copiae intentionis, dualis basis temporis integralis chip NE556 sponte reset potest, duplicatum tempus basis integralis chip NE556 paxillus 5 automatice ad humilem gradum redeat, ita ut circuli subsequentes non laborant, ita ut capacitorem C4 sponte desinere desinant, et postquam ingressu capacitoris C4 per MOSFET Q1 retinentur. conductiva haec applicatio continue servare potestMOSFETQ1 pro III seconds conductor.

Continet resistores R1-R6, capacitatem electrolyticorum C1-C3, capacitorem C4, PNP transistorem VD1, diodem D1-D2, Nullam intermedium K1, comparationem intentionis, tempus duale basi integratum chip NE556, et MOSFET Q1, paxillum 6 temporis dualis basi integratis. chip NE556 pro signo initus adhibetur, et unus finis resistoris R1 coniungitur cum 14 14 ex basi temporis duplicatae cum chip integrato NE556, resistor R2, paxillus 14 temporis dualis basi integrati chip NE556 et paxillus 14 basi temporis duplicalis cum chip integrato NE556, et resistor R2 coniungitur cum 14 e basi temporis dualis cum chip integrali NE556. paxillus 14 basis duplicalis temporis integrati chip NE556, unus finis resistor R2, unus finis resistor R4, PNP transistoris

Quale principium operandi?

Cum A praebet signum felis humile, tunc basis duplicalis temporis integralis chip NE556 posita, basis dualis temporis integralis chip NE556 pin 5 output altam gradum, altam in positivo initus voltage comparatoris, pars negativa initus est voltage comparatoris a resistor R4 et diode D1 ut referat intentionem, hoc tempus, intentionem comparatoris output altam, altam transstoris VD1 conductionem, currentem fluit e collector transistoris VD1 per diodum D2 ad capacitorem C4 concurrentes, hoc tempore, medium nullam K1 coil suctionem, medium nullam K1 coil suctionem. Vena fluit a collectore transistoris VD1, C4 per diode D2 oneratur capacitori, et simul;MOSFETQ1 agit, hoc tempore, gyrus intermediorum vitai K1 sucitur, et intermedius Nullam K1 normaliter-clausam contactum K 1-1 hians, et post medium Nullam K1 normaliter-clausam contactum K 1-1 hians, potestas copia intentionis quae a fonte dc potentiae ad 1 et 2 pedes duplicis timebasi integralis chip NE556 reponitur, donec cum voltatio in clavum 1 et paxillus 2 e basi temporis integrati chip NE556 integratur. Intentionis copiae 2/3 oneratur, basis duplicalis temporis integralis chip NE556 automatice reset est, et paxillus 5 basii duplicalis temporis integrati chip NE556 sponte restituitur in gradu humili, et circuli subsequentes non operantur. et hoc tempore capacitor C4 ad MOSFET Q1 conductionem conservandam emittitur usque ad finem missionis capacitoris C4, et gyrus intermediorum Nullam K1 exsolvitur, et medium nullum K1 normaliter clausum K contactum. 1-1 hians. Nullam K1 normaliter clausum contactum K 1-1 clausit, hoc tempore per medium clausis Nullam K1 normaliter contactus K 1-1 clausus erit basis dualis temporis integralis chip NE556 1 pedes et 2 pedes in intentione emissio, tunc temporis ad basis temporis dualis integralis chip NE556 paxillus 6 felis signum ad humilem praebendum, ita ut basim duplicem temporis integralem chip NE556 statuto pararet.