Productio methodus princeps potentiae MOSFET ambitus eiecti

Sunt duae solutiones principales:

Unum est utendum dedicato chip agitatori ad MOSFET ad pellendum, vel ad usum festinantium photocouplariorum, transistores ambitum MOSFET ad depellendum constituunt, sed primum genus accessus requirit praescriptum independentis potentiae copiae; alterum genus pulsus transformatorem ad MOSFET pellendum, et in pulsu circumactionis depellendum, quomodo mutandi frequentiam activitatis emendare ambitum ad augendam facultatem incessus, quantum fieri potest, numerum partium reducere, necessitas urget. solverevena problematum.

Primum genus machinae coegi, dimidia pontis duos commeatus sui iuris requirit; pons plenus tres commeatus sui iuris requirit, utrumque dimidium pontis et pons plenus, multa quoque membra, ad reductionem sumptus non conducunt.

Alterum genus programmatis impellendi et patentes artissima arte prior est nomen inventionis "summus potentiae"MOSFET ambitus "patentes" (applicatio numeri 200720309534. 8), patentes tantum addunt resistentiam missionis ut fons summus potestatis MOSFET custodiae portae emittat, ut finem claudendi descendat, labentis marginem PWM signum magnum est. cadens in ore PWM signum est magnum, quai ad tardus shutdown of MOSFET, potentiae amissio est maxima;

In addition, programmatis MOSFET opus patentium susceptibile est impedimento, et PWM imperium chip debet habere magnam output potestatem, faciens chip temperatura alta est, afficiens servitium vitae chip. CONTENTA inventionis Finis huius utilitatis exemplar est summus potentiae MOSFET ambitum coegi praebere, opus stabilius ac nihilum consequi finem huius utilitatis exemplar inventionis solutionis technicae - summus potentiae MOSFET circuitus coegi, signum output of PWM imperium chip iungitur cum pulsus primario transformator, the primum output o *f pulsus secundarius transformator iungitur portae MOSFET primae, secundae pulsus secundi pulsus transformatoris iungitur portae primae MOSFET, secundae pulsus secundi pulsus transformator iungitur primae portae MOSFET. Prima output of pulsum transformator secundae iungitur portae primi MOSFET, secundae output of pulsum transformer secundarii iungitur ad portam secundi MOSFET, notatur in eo quod prima output pulsus transformator secundarii etiam connectitur; ad primam transistoris missionem, et secundae pulsus transformatoris secundae emissionem etiam ad secundam transistoris missionem continuatur. Primaria parte pulsus transformator etiam coniungitur cum energia repositionis et circuitionis emissio.

Energia repositionis emissio circuitionis includit resistor, capacitor et diode, resistor et capacitor in parallelis connectuntur, et praedictus ambitus parallelus in serie cum diode connexus est. Utilitas exemplar habet commodi effectum The Utilitas exemplar etiam habet primam missionem transistoris connexam primo output transformantis secundae, et transistoris secundae missio coniuncta secundae output pulsus transformator, ita ut cum pulsus transformator outputs a low planities, primus MOSFET et secundus MOSFET cito solvi possunt ad meliorem shutdown celeritatem MOSFET, et ad damnum MOSFET reducendum. Signum PWM dicionis chip iungitur cum signo amplificationis MOSFET. inter primum output et pulsum transformator primaria, quae ad insignem amplificationem adhiberi possunt. Signum PWM ditionis chip et pulsus primarius transformator ad MOSFET ad amplificationem insignem pertinentes sunt, qui amplius ampliare potest pulsis facultatibus signo PWM.

Pulsus primarius transformator etiam coniungitur energiae repositionis in circuitu emissionis, cum signum PWM in humili gradu est, industria repositionis emissio ambitus reposita industriam in pulsum commutatorem dimittit cum PWM in alta est, ut porta fons primi MOSFET et secundi MOSFET perquam humilis est, qui locum tenet in impedimento impediendo.

In exsecutione specifica MOSFET Q1 potentia humili pro ampla amplificatione coniungitur inter signum output terminalis A dicionis PWM et primarii pulsus Tl commutatoris, prima output terminatio secundae pulsus transformantis coniungitur. porta primi MOSFET Q4 per diodum D1 et resistentis incessus Rl, outputus secundi terminalis pul- soris secundi iungitur ad portam MOSFET Q5 secundi per diodum D2 et incessus resistor R2, et primum output terminalis secundae pulsus transformantis etiam iungitur primo triodo exhauriente Q2, et secundo triodo exhauriente Q3, coniungitur etiam secundo triodi exhauriente Q3. MOSFET Q5, primus output terminalis pulsus transformatoris secundae etiam iungitur ad primum transistorem Q2 fundatum, et secundae pulsus terminatio secundae pulsus transformantis etiam ad alterum transitorem Q3 exhauriunt annexum.

Porta primi MOSFET Q4 ad resistor siccanti R3 iungitur, et porta secundi MOSFET Q5 ad resistor R4 exhauriendam iungitur. prima pulsus TRANSFIGURATOR Tl etiam coniungitur cum energia repositionis et ambitus emissio, et energiae repositionis et emissionis ambitum includit resistor R5, capacitor Cl, et diode D3, et resistor R5 et capacitor Cl connexa sunt. parallela, & parallela praedictus circuii connexus in serie cum Diode D3. PWM signum output ex PWM potestate chip iungitur cum potentia humili MOSFET Q2, et potentia humilis MOSFET Q2 coniungitur cum secundae pulsus transformatoris. ampliatur potentia humili- MOSFET Ql et output ad primarium pul- soris Tl. Cum signum PWM altum est, primum output terminalis et output secundi terminalis secundae pulsuum TRANSFIGURATOR Tl output altum gradum significationibus pellere primo MOSFET Q4 et secundo MOSFET Q5 ducere.

Cum signum PWM humile est, primum output et secundum output pulsus transformator Tl secundarius output humilitatis significationibus, primus transistor Q2 exhauriens, secundus transistor fundae Q3 conduction, primus MOSFETQ4 portae fons capacitas per exhaurire resistor R3; prima transistoris Q2 ad missionem exhauriunt, secunda portae MOSFETQ5 capacitatem per exhauriunt resistor R4, secunda transistoris Q3 ad missionem exhauriunt, secunda MOSFETQ5 porta fons capacitatis per resistor exhaurie R4, secundus transistoris funda Q3 ad missionem, secundus MOSFETQ5 fons capacitatis portae per resistor exhaurie R4, secundus transistor fundae Q3 ad missionem. Secunda capacitas portae MOSFETQ5 per exhauriente resistor R4 emittitur et secunda transistoris Q3 exhauritur, ita ut prima MOSFET Q4 et secunda MOSFET Q5 citius averti possit et potestas amissa reduci possit.

Cum signum PWM humile est, industria repositae emissio circuli composito resistor R5, capacitor Cl et diode D3, emittit industriam conditam in pulsum transformator cum PWM altus est, ut portae fons primi MOSFET Q4 et secundi MOSFET Q5 perquam humilis est, qui anti- quitatis causa deservit. Diode Dl et diode D2 output vena unidirectionaliter peragunt, ita ut qualitatem PWM waveformi, et simul, etiam partes agit anti-incessionis aliquatenus.