Praecipua potentia copia structuramieiunium stultumQC utitur flyback + latere secundario (secundario) rectificationis synchronae SSR. Pro converters flyback, secundum modum feedback sampling, dividi potest in: partem primariam (primariam) ordinationem et partem secundariam (secundariam) dispositionem; iuxta situm PWM controller. Dividi potest in: latus primarium (primarium) imperium et latus secundarium (secundarium) imperium. Nihil ad MOSFET pertinere videtur. Ita,Olukeyquaerere habet: Vbi est MOSFET absconditus? Quam personam egit?
1. Primarium latus (primarium) temperatio ac secundarium (secundarium) temperatio
Stabilitas intentionis intentionis requirit nexum feedback ut mittat suas informationes varias ad PWM moderatorem principalem ut mutationes in input intentione et onere output accommodet. Secundum varias opiniones sampling modos, dividi potest in commensurationem primariam partem (secundariam) commensurationem, ut in figuris 1 et 2 ostensum est.
Responsio signi directionis partis primariae (primaria) ordinatio non directe ab output voltage sumitur, sed ab flexo auxiliari vel primario primario flexuoso, quod certam proportionalem cum output intentione intentione conservat. Proprietates eius sunt:
① Indirecta feedback methodus, pauper onus moderandi rate et pauper accurate;
②. Simplex et humilis sumptus;
③. Nihil opus est optocoupleris solitarii.
Commentum signum ad directionem secundariam (secundariam) ordinandam sumitur directe ab output voltage utentis optocoupleri et TL431. Proprietates eius sunt:
① Dirige feedback modum, bonum onus ordinatio rate, linearis ordinatio rate, et alta praecisio;
②. Circuitus est complexus et pretiosus temperatio;
③. Optocouplerum segregare necesse est, qui difficultates tempore senescentis habet.
2. secundarium latus (secundarium) rectificationis diode etMOSFETsynchrona rectificatio SSR
Pars secunda (secundaria) convertentis volatilis plerumque utitur rectificatione diode propter magnum output currentem celeriter praecipiens. Praesertim ad directum impetum vel mico increpans, output vena tam alta est quam 5A. MOSFET ad emendandam efficientiam loco diodae rectificantis adhibetur, quae secundaria rectificatio synchrona SSR dicitur, ut in figuris 3 et 4 ostenditur.
Notae secundae partis (secundariae) diodae rectificationis;
①. Simplex, nulla addita exactoris exactor requiritur, sumptus est humilis;
② Cum output vena est magna, efficientia humilis est;
③. Princeps commendatio.
Lineamenta lateris secundae (secundariae) MOSFET rectificationis synchronae:
①. Complexum, exactorem exactorem exactorem et summum sumptus;
②. Cum magna output vena est, efficientia alta est;
③. Cum Diodeis, fides eorum humilis est.
In usu adhibitis MOSFET rectificationis synchronae SSR ab summo summo usque ad extremum deorsum moveri solet ad faciliorem incessus, ut in Figura 5 ostenditur.
Proprietates summus finis MOSFET rectificationis synchronae SSR:
①. Requirit bootstrap coegi vel volitare coegi, quod est pretiosum;
②. Bonus Tactus.
Proprietates rectificationis synchronae SSR MOSFET ad humilem finem positae;
① Direct coegi, simplex coegi et humilis sumptus;
②. Pauper Tactus.
3. Pars prima (primaria) imperium et latus secundarium (secundarium) imperium
PWM moderator principalis in parte primaria (primaria). Haec structura principale imperium (prima) appellatur. Ut accuratam intentionis evolutionis, oneris dispositionis rate, ac linearis dispositionis rate emendare, latus primarium (primarium) imperium externum optocouplerum et TL431 requirit ut nexum feedback formaret. Sed ratio parva est et celeritas responsionis tarda est.
Si PWM moderator principalis in parte secundario (secundario), optocouplator et TL431 positus est, tolli potest, et intentio intentionis directe moderari et cum responsione celeri componi potest. Haec structura secundarium (secundarium) imperium appellatur.
Lineamenta partis primariae (primaria) ditionis;
①. Optocoupler et TL431 requiruntur, et responsio tarda est;
②. Celeritas output tutela tarda est.
③. In rectificatione synchrona continuus modus CCM, latus secundarium (secundarium) requirit signum synchronisationi.
Lineamenta secundae (secundariae) temperantiae;
①. Output directe deprehenditur, nulla optocoupler et TL431 opus est, celeritas responsionis celeris est, et celeritas tutelae output est celeritas;
②. Pars secunda (secundaria) rectificationis synchronae MOSFET directe impellitur sine significationibus synchronisationi necessaria; adiectis machinis qualia sunt pulsus transformatores, iuncturae magneticae vel coniugationes capacitivae requiruntur ad transeundum signa incessus MOSFET partis primariae (primaria) altae intentionis.
③. Pars primaria (primaria) ambitus incipiens indiget, seu latus secundarium (secundarium) copiam auxiliarem habet ad proficiscendum.
4. Continua CCM modus seu discontinuus DCM modus
Musca convertens potest operari in modo continuo CCM vel discontinuo DCM modo. Si vena in flexu secundo (secundario) 0 attingit in fine cycli mutandi, vocatur modus discontinuus DCM. Si vena flexae secundae (secundariae) non est 0 in fine cycli mutandi, dicitur modus continuus CCM, ut patet in figuris VIII et IX.
Ex Figura 8 et Figura IX constare potest, operationes status rectificationis synchronae SSR diversos esse diversos modos operandi volatilis convertentis, quod etiam significat moderari modos rectificationis synchronae SSR etiam diversos esse.
Si tempus mortuum ignoratur, cum in continuo CCM modo operatur, rectitudo synchrona SSR duos habet status;
①. Pars prima (primaria) summus intentione MOSFET in volvitur, et latus secundarium synchronum MOSFET rectificationis submovetur;
②. Pars prima (primaria) princeps intentionis MOSFET aversa est, et latus secundarium (secundarium) synchronum MOSFET rectificationis in volvitur.
Similiter, neglecto tempore mortui, rectificatio synchrona SSR tres habet status operandi in modo discontinuo DCM;
①. Pars prima (primaria) summus intentione MOSFET in volvitur, et latus secundarium synchronum MOSFET rectificationis submovetur;
②. Pars prima (primaria) summus intentione MOSFET aversa est, et latus secundarium synchronum MOSFET rectificationis in volvitur;
③. Pars prima (primaria) summus intentione MOSFET aversa est, et latus secundarium (secundarium) synchronum MOSFET rectificationis submovetur.
5. Secunda pars (secundaria) rectificatio synchrona SSR in continuo CCM modo
Si volatilis convertentis ieiunium-praeceptio in continuo CCM modo operatur, latus principale (primarium) modum moderandi, latus secundarium (secundarium) synchronum rectificationis MOSFET requirit synchronization signum a parte primario (primario) ad shutdown imperium.
Solent duo sequentes methodi obtinere synchronum pellere signum partis secundae (secundariae);
(1) Directe utere flexuoso secun- tario, ut patet in fi.
(2) Utere adiectis intermissionibus partium ut pulsus transformatorum ut signum a parte primario (primario) ad secundam partem (secundariam) transmittat, ut in fig. 12 ostensum est.
Directe utens secundario (secundario) tortuoso ad obtinendum synchronum signum coegi, subtilitas synchroni signum coegi difficillimum est regere, et difficile est consequi efficientiam optimized et constantiam. Alie societates etiam digitalis moderatoris utantur ad accurationem moderandam meliorem, ut in Figura 11 Ostende monstratur.
Usura pulsus commutator ad impetrandum synchronum signa incessus altam accurate habet, sed sumptus relative altum est.
Pars secundaria (secundaria) moderandi methodo utitur solere pulsum transformatorem vel copulationis magneticae methodo tradendae synchronae depellendi signum a latere secundario (secundario) ad latus primum (primarium), ut in Figura 7.v ostensum est.
6. Secundarium latus (secundum) synchronum rectificationem SSR in discontinuo DCM modo
Si celer crimen flyback converter operatur in discontinuo DCM modum. Nihilominus in parte primaria (primaria) moderandi methodum vel partem secundariam (secundariam) moderandi methodum, D et S guttae intentionis rectificationis MOSFET synchronae recte deprehendi et moderari possunt.
(1) Conversus in synchronum rectificationem MOSFET
Cum intentione VDS rectificationis synchronae MOSFET mutatur ab positivo in negativum, diode parasitica interna volvitur, et post moram certam, rectificatio MOSFET synchrona se vertit, ut in Figura XIII ostensum est.
(2) Verto off synchroni rectificationem MOSFET
Post rectificationem synchronam MOSFET in volvitur, VDS=-Io*Rdson. Cum secundarius (secundarius) currente flexuoso decrescit ad 0, hoc est, cum intentione detectionis notae currentis VDS mutatur ab negativo ad 0, synchrona rectificatio MOSFET se subtrahit, ut in Figura XIII ostensum est.
In applicationibus practicis, rectificatio MOSFET synchrona se vertit antequam ad venam secundariam (secundariam) flexam pervenit 0 (VDS=0). Praesens deprehensio referens valores voltages a diversis chippis dispositis diversi sunt, ut -20mV, -50mV, -100mV, -200mV, etc.
Praesens detectio referens intentionem systematis fixa est. Quo maior valor absolutus intentionis deprehensionis hodiernae referat, eo minus erroris impedimentum et accuratio melior. Attamen, cum output onus currentis Io decrescat, rectificatio MOSFET synchrona in ampliorem curriculum avertetur, et parasitica ejus interna diode diutius aget, ita reducta efficientia, ut in Figura 14 ostenditur.
Praeterea, si valor absolutus intentionis hodiernae deprehensio referat, angustus est. Ratio errorum et impedimentum synchronum MOSFET rectificationem causare potest, ut avertatur postquam currente secundo (secundario) flexuosum 0 excedit, ex inverso influenti currenti, efficientiae et systematis constantiae afficiens.
Signorum deprehensio currentis summus praecisio ad efficientiam et constantiam systematis emendare potest, sed sumptus de fabrica augebit. Accurate deprehensionis signum hodiernae cum sequentibus memoratur:
①. Accuracy and temperies egisse deprehensio currentis referendi intentionem;
②. Praeiudicia voltage et intentionis offsets, bias currentis et offset currentis, et temperatura egisse amplificationis currentis;
③. Accuratio et temperatura summa in intentione Rdson rectificationis synchronae MOSFET.
Praeterea, ex prospectu systematis, per digital imperium emendari potest, mutans detectionem currentem referens intentionem, et mutans rectificationem MOSFET synchronam agitantem intentionem.
Cum in output onus currentis Io decrescat, si vis incessus vis potentiae MOSFET decrescat, MOSFET vicis respondentes in intentione Rdson augetur. Ut ostenditur in Figura XV, potest vitare mane shutdown rectificationis synchronae MOSFET, tempus conductionis diode parasiticae minuere, et efficaciam systematis emendare.
Ex Figura XIV videri potest quod, cum output onus currentis Io decrescat, detectio hodiernae intentionis referat etiam decrescere. Hoc modo, cum output vena Io magna est, altioris currentis detectionis relatio intentionis adhibita est ad accurationem moderationem emendandam; Cum in output vena Io gravis est, deprehensio currente minore intentione referente adhibetur. Potest etiam tempus conductionis synchronae MOSFET emendare et efficientiam systematis emendare.
Cum methodus praedicta ad emendationem adhiberi non potest, Schottky diodes etiam in parallelis ad utrumque finem rectificationis synchronae MOSFET coniungi potest. Postquam MOSFET synchronum rectificationem praevertitur, externa Schottky diode pro freewheling coniungi potest.
7. Secundarium (secundum) imperium CCM+DCM modus hybrid
Nunc, plerumque duae solutiones communiter usitatae in telephono mobili celeriter praecipientes sunt:
(1) Primaria pars (primaria) moderatio et dcm operandi modus. Pars secunda (secundaria) rectificationis synchronae MOSFET signum synchronisationi non requirit.
(2) Secundarium (secundarium) imperium, CCM+DCM modus operandi mixtus (cum output onus currentis decrescit ab CCM ad DCM). Pars secunda (secundaria) rectificatio synchrona MOSFET directe impellitur, eiusque principia logica in vicis et vicissitudine monstrantur in Figura 16:
Conversus ad rectificationem synchronam MOSFET: Cum intentione VDS rectificationis synchronae MOSFET mutatur ab positivo in negativum, eius diode parasitica interna se vertit. Post certam moram, rectificatio synchrona MOSFET volvitur.
MOSFET rectificationis synchronae vertens:
① Cum ad extrahendas intentiones minus quam valorem statutum est, horologii synchroni signum ad vicem MOSFET et operis in CCM modum regendi adhibitum est.
② Cum output intentionis maior est quam valoris, horologii synchroni signum munitum est et operandi modus idem est ac modus DCM. Signo VDS=-Io*Rdson shutdown rectificationis synchronae MOSFET moderatur.
Nunc omnes sciunt quae partes MOSFET ludit in toto ieiunio praecipientes QC!
De Olukey
Olukey cori turmae XX annos in componentibus focused et in Shenzhen praetorio est. Praecipua negotia: MOSFET, MCU, IGBT et aliae machinae. Praecipua agentis producta sunt WINSOK et Cmsemicon. Producta late adhibentur in industria militari, industriali potestate, novis industria, medicinis, 5G, rerum interretis, dolor domiciliis, et productorum electronicarum variarum dolor. Commodis freti agentis globalis originalis, in mercatu Sinensi nituntur. Officia nostra comprehensive commoda utimur ad varias provectus technicas electronicas partes provectus ut nostris clientibus inducat, artifices adiuvat in effectibus producendis summus qualitas et operas comprehensivas praebens.
-
Porta capacitatis, in resistentia et alia param...
-
MOSFET 101: The Ultimate Beginner's Guide.
-
MOSFET Coegi Circuit Requirements
-
Quomodo utrum MOSFET bonus an malus sit?
-
MOSFET munimentum supercurrente ne circuire ...
-
Quid PMOSFET, scis?
-
Magna vestigia MOSFET Electio
-
Tres paxillos MOSFET quomodo dicam eis...
-
2N7000 MOSFET: Ad Applicatio...
-
Basic intellectus MOSFET
-
Quomodo discernere possum inter Mosfets.
-
Quid interest inter MOSFET et IGBT?...
-
Discrimen inter N-canalem MOSFET et Pc...
-
De rol van vermogens-MOSFET-apparaten
-
Small Package MOSFETs
-
Quid faciam MOSFET figere calfacit.
