Quos parametros operam darem cum Triode et MOSFET eligendo?

Electronica elementa habent parametros electricos, et refert satis marginem electronicarum partium relinquere, cum genus eligendum est, ut stabilitatem ac diuturnum operationis electronicarum partium electronicarum efficeret. Deinde breviter Triode et MOSFET selectae methodum inducunt.

Triode machina est fluxus continentis, MOSFET fabrica intentione moderata est, sunt similitudines inter utrumque, in delectu necessitatis considerandi resistendi intentionis, currentis et aliorum parametri.

 

I, secundum maximam electionem sustinere voltage

Triode collector C et emitter E potest maximam intentionem inter parametri V (BR) CEO sustinere, voltatio inter CE in operatione determinatum valorem non excedat, alioquin Triode in perpetuum laedatur.

Maxima intentione etiam est inter exhaurire D et fontem S MOSFET in usu, et intentione trans DS in operatione valorem determinatum non excedere debet. Generaliter, intentione valorisMOSFETmulto altior quam Triode.

 

2, maximam facultatem overcurrent

Triode modulum ICM habet, hoc est, collector supercurrentis facultatis, et supracurrentis MOSFET capacitas per ID exprimitur. Cum hodierna operatio, currens per Triode/MOSFET fluit, certum valorem excedere non potest, alioquin fabrica cremabitur.

Considerans stabilitatem operantem, marginem 30%-50% vel etiam amplius plerumque conceditur.

3.operating temperatus

Commercial-gradus astularum: generalis range ex 0 ad + 70 ;

Astulae industrialis-gradus: generalis range de -40 ad +85 ;

Militaris gradus astulae: generalis range de -55 ad CL ℃;

Cum MOSFET delectu conficiendo, chip opportunum elige secundum occasionem producti usus.

 

IV, secundum de commutatione frequency lectio

Et Triode etMOSFEThabere ambitum mutandi frequency / responsio tempus. Si usus in circuitu frequentiae summus, tempus mutandi tubi responsionis condicionibus usui occurrere censendum est.

 

5.Aliae condiciones delectu

Exempli gratia, in resistentia parametri Ronaldi MOSFET, VTH vicissim in intentione.MOSFETet sic deinceps.

 

Omnes in MOSFET delectu, puncta pro lectio miscere potes.