Potestas suppeditat circuitus, seu potestas ambitus in campo propellendi, inevitabiliter utaturMOSFETsquae sunt plurium generum et multarum functionum. Pro commutatione copiarum vel applicationum propensionum, naturale est uti functione mutandi.
Pro N-genus vel P-genusMOSFETprincipium essentialiter idem, MOSFET additur portae compagis finis currentis ad moderandum output latus venae exhauriendae, MOSFET est fabrica intentione continentis fundata in vena addita portae in. machinationis notarum manipulatio, non prona est ad commutationes sicut transistor ob basis currenti causa positivo mandato repositionis effectum, et ideo in applicatione mutandi MOSFET commutatione rate velocior quam transistor debet esse. In commutatione rate velocior quam triode esse debet.
MOSFETparva-current calefactio causas
1, problema principium ambitus est MOSFET opus in lineae operationis statu, potius quam in situ mutandi. Haec quoque causa MOSFET caloris est. Si commutatio N-MOS, G-planum operans intentione quam vis mutandi paucas V supplent, ut omnino interdum sit, P-MOS est e converso. Non perfecte in et iactura nimis magna resultans in output potentiae dissipationis, aequivalens circuitus propriae dc impedimento est maior, dispendium dilatatur, sic U*i etiam dilatatur, deperditio caloris repraesentat. Haec quoque falsa ratio programmatis control ambitus maxime vitatur.
II, frequentia est nimis alta, maxime interdum nimia studio perfecti voluminis, ex frequentia amplificatione, MOSFET in expansione consumptionis, sic etiam calor augetur.
III, non satis caloris exclusio consilio progressio, current nimis alta, MOSFET tolerantia current valorem, plerumque oportet ponere bonum calor exclusio fieri potest. Ergo ID quam superiori currenti humilior est, etiam verisimile est calefacere graviorem, satis esse ad subsidia caloris deprimi.
4, MOSFET exemplar lectio non recte, output potentia non recta, MOSFET resistendi ratio non habetur, inde in expansione impedimenti notae mutandi.
MOSFET parva calefactio vena gravior est quam solvere?
1.get MOSFET caloris exclusionis programmatis designandi, adiuvat certum numerum caloris deprimi.
2.Paste calor exclusionis glutinis.
Post tempus: Iul-11-2024
