MOSFETslate usus est. Nunc quidam ambitus magnae integrales adhibentur MOSFET, munus fundamentale transistoris et BJT, commutationes et amplificationes sunt. Triode plerumque BJT ubi adhiberi potest, et alicubi melius quam triodis fit.
Amplificatio de MOSFET
TRIODUM MOSFET et BJT, etsi machinae ampliantis tam semiconductoris, sed plus commoda quam triode, ut alte resistentia input, fons signum paene nullum est, quod stabilitati input signum conducit. Est idealis machinatio quasi scaena amplificans initus, et etiam commoda strepitus gravis et temperaturae stabilitatis bonae habet. Saepe usus est ut praeambulus pro ambitus amplificationis auditionis. Attamen, quia intentione moderata est ratio currentis, exhauriens vena intentione inter fontem portae refrenatur, amplificatio transconductionis frequentiae humilium frequentiae coefficiens plerumque non magna est, ideo ampliatio facultas pauperis est.
Switching effectum MOSFET
MOSFET ut switch electronica adhibita, ob solum polyonti conductivity niti, nulla talis est ut triode BJT ob basis currentis et effectus repositionis custodiae, sic mutandi velocitas MOSFET quam triode velocior est, sicut tubi mutandi. saepe adhibita est summus frequentatio occasiones currentium, ut commutatio commeatuum in MOSFET adhibita in statu frequentiae summus currentis operis. Cum BJT triodis permutationibus, MOSFET permutationes in voltages et excursus minores agunt, et faciliora sunt ad lagana siliconis integranda, unde late in circuitibus integralibus permagnae adhibentur.
Quae sunt cautiones utensMOSFETs?
MOSFETs molliores sunt quam triodes et facile ab usu improprio laedi possunt, itaque peculiari cura adhibenda est.
(1) Necesse est eligere congruum genus MOSFET diversis occasionibus adhibitis.
(2) MOSFETs, praesertim portae MOSFETs insulatae, altam inputationem habent impedimenti, et singulis electrode compendii debent, quando non in usu sunt ad vitandum damnum fistulae ob portae inducentiae crimen.
(3) Porta fons confluentiae MOSFETs intentione converti non potest, sed in aperto ambitu statu servari potest.
(4) Ad summam initus MOSFET retinendam, tubus ab umore custodiendus est, et in usu ambitus siccendus.
(5) Obiecta accusata (ut ferrum solidare, instrumenta test, etc.) in contactu cum MOSFET fundari opus est ad damnum fistulae vitandum. Praesertim cum glutino portae MOSFET insulatae, secundum fontem - portae ordinis sequentialis glutino, optime pactionem postquam potentia interiit. Potestas ferrum solidandi ad 15~30W convenit, tempus glutinum 10 secundis non excedere debet.
(6) Porta insulata MOSFET cum multimetris temptari non potest, solum cum testore tentari potest, et solum post accessum ad testor ut breves ambitus electrodes emoveatur. Cum remotum est, necesse est ut ante remotionem electrodes ambitus brevietur, ne portae immineant.
(VII) cum usuraMOSFETssubstratum ducit, substratum ducit apte coniungitur.
Post tempus: Apr-23-2024
