Quae sunt quattuor regiones MOSFET?

 

Quattuor regiones N-canali amplificationem MOSFET

(1) Regio resistentia variabilis (regionis etiam unsaturated dicta)

Ucs" Ucs (th) (in intentione), uDs" UGs-Ucs (th), est regio ad laevam vestigii praeclami in figura ubi volvitur alveus. Parvus valor UDs in hac regione est, et resistentia alveus solum ab UGs fundamentaliter reguntur. Quando uGs certa est, ip et uDs in relatione lineari, regio approximatur ut linearum rectarum statuta. Hoc tempore, ager effectus fistulam D, S inter instar intentionis UGS

Motus per intentionem resistentiae UGS variabilis.

(2) Regio hodierna constans (etiam nota sicut regio satietatem, ampliatio regionis, regionis activae)

Ucs ≥ Ucs (h) et Ubs ≥ UcsUssth), pro figura dextra pre- ternum vestigia, nondum fracta in regione, in regione, quando ugs debet, fere non ib. mutatio cum UDs, notae constantes-currentes sunt. i solum ab UGs regitur, tunc MOSFETD, S aequivalet intentioni ugs fontis fontis. MOSFET in amplificationibus circuitibus adhibetur, plerumque in opere MOSFET D, S aequiparatur intentioni ugs ditionis fontis currentis. MOSFET in amplificatione circuitus usus est, plerumque in regione operis, sic etiam notus ut amplificationis area.

(III) Clip-off area (etiam dicitur abscise area)

Area clip-off (etiam quae abscise nota) obviam UCS" Ues (th) pro figura prope axem horizontalem regionis, canalis totus coagmentatus est, notus ut tondet plenus, io = 0 tubus non operatur.

(IV) naufragii zona locus

Regio naufragii sita est in dextra figurae parte. Crescente UDs, PN junctura nimis contraria intentioni et naufragii subiecta est, ip acrius augetur. Tubus exercendus est ad vitandum operandum in regione naufragii. Propria curva translatio derivari potest e curva propria output. In lacinia purus ut lacinia dictum. Exempli gratia, in Figura 3 (a) pro Ubs = 6V linea verticali, ejus intersectio cum variis curvis ipsi i respondentibus, valores Nobis in coordinatis ib- Uss connexis curvae, hoc est, ad obtinendam curvam characteristicam translationem.

Morbi laoreetMOSFET

Plures sunt parametri MOSFET, inter parametri DC, AC parametri et parametri limites, sed solum sequentes parametri principales in communi usu sollicitari debent: saturatum fonticulum haurientes IDSS ternum-off voltage Sursum, (conjunctio fistulae et deperditae. -type fistulae insulatae, vel vertente in intentione UT (tubus portarum insulatis muniti), um transductio, globulus lacus-fontis naufragii voltage, maximam potentiam dissipatam PDSM, et maximam exhauriunt fontem current IDSM.

(I) Saturated exhaurire current

In saturitate exhauriente IDSS vena est exhaurire currentem in coniunctione vel deperditione speciei portae insulatae MOSFET cum porta intentione UGS = 0 .

(2) Clip-off voltage

TERMINUS intentione UP porta est intentione coniunctae specie vel deperdito specierum portae insulatae MOSFET quae inter exhaurire et fontem modo intercludit. Ut in 4-25 demonstretur pro tubo canali N UGS curva ID, intelligi potest videre significationem IDSS et UP

MOSFET quattuor regiones

(III) Turn-in voltage

Tractus in intentione UT est porta voltage in porta insulato MOSFET confirmata quae fontem interfluvium iustum conductivum facit.

(4) Transconductance

Transconductance gm est potestas portae fons intentionis UGS in exhauriente ID currenti, id est, proportio mutationis in vena id exhauriente ad mutationem in portae fonte voltage UGS. 9m est maximus modulus pensans amplificationem facultatis ipsiusMOSFET.

(V) Exhaurire fons naufragii voltage

Exhaurire fons naufragii voltage BUDS refertur ad fontem portae cuiusdam voltage UGS, MOSFET operatio normalis maximam partem voltage exhaurire potest. Hic modus est parametri, MOSFET operanti intentioni MOSFET additus minus quam gemmae esse debet.

(VI) maximam potentiam

Maxima dissipatio potentiae PDSM modus etiam parametri est, rem significatMOSFETperficiendi non corrumpitur, cum maximae potentiae dissipationis lacus fons licitus est. Cum MOSFET utens consummatio virtutis practica minor esse debet quam PDSM et marginem quandam relinquere.

(VII) Maximum Dracula Current

Maximus lacus current IDSM est alius modus parametri, ad normalem MOSFET operationem refertur, lacus fons maximi currentis per operantem MOSFET currentem transire non debet IDSM excedere.

MOSFET operating principium

Principium operativum MOSFET (N-channel amplificationis MOSFET) VGS uti est ad quantitatem "inductivi criminis" regendam, ad mutandam condicionem canalis conductivi ab his "causa inductiva" formato, et deinde ad propositum consequendum. regendi exhauriebat vena. Propositum est venam exhaurire moderari. In tubulis fabricandis, per processum faciendi magnum numerum positivorum in strato insulante, ita in altera parte interfaciei plura crimina negativa adduci possunt, haec crimina negativa adduci possunt.

Cum portae voltage mutationibus, moles in canali inducta mutatur, latitudo canalis conductivi etiam mutatur, et sic vena ID exhauriens cum porta intentione mutatur.

MOSFET partes

I. MOSFET ad amplificationem applicari potest. Propter altam inputationem amplificantis MOSFET impeditam, capacitas copulatio capacitas minor esse potest, sine usu capaci- torum electronicorum.

Secundo, princeps MOSFET inputatio impedimenti conversionis valde apta est ad impedimentum. Communiter usus est in scaena multi-scaena amplificantis ad conversionem impeditivam.

MOSFET adhiberi potest ut resistor variabilis.

Quarto, MOSFET facile uti fonte constanti potest.

Quinto, MOSFET adhiberi potest ut switch electronica.