Quae sunt differentiae inter MOSFETs et Triodes cum permutationes adhibentur?

MOSFET et Triode electronicis inter se communes sunt, utrumque adhiberi potest ut virgas electronicas, sed etiam saepenumero mutandi usum virgarum, ut virga utendi;MOSFETmultum habent et Triode similitudines, sunt etiam diversa loca, ut duo sint quomodo eligenda?

 

Triode NPN genus et PNP type.MOSFET etiam N alveum et P canalem habet. Tres fibulae MOSFET portae sunt G, siccae D et fons S, et tres triodiae fibulae bases B, collector C et E emittentes. Quae sunt differentiae inter MOSFET et Triode?

 

 

N-MOSFET et NPN Triode usus est ut switching principium

 

(I) alius modus imperium

Triode est vena-typus temperantiae partium, et MOSFET partium intentionum moderatio est, Triode in intentione initus requisita partis moderandi est relative humilis, vulgo 0.4V ad 0.6V vel plus intelligi potest Triode in, mutando basim limitem. Resistor vena currentem basim mutare potest. MOSFET intentione moderata, intentione quae ad 4V ad 10V conductionem requiri solet, et cum satietatem pervenerit, requiritur intentio circa 6V ad 10V. In potestate inferioris intentionis occasiones, usus communis Triodis ut switch, vel Triode ut quiddam control MOSFET, ut microcontrolers, DSP, PowerPC et alii processus I / O porti voltage est relative humilis, tantum 3.3V vel 2.5V. , plerumque non directe moderabiturMOSFETInferior intentione, MOSFET non potest esse conductio vel resistentia interna magnae consumptionis internae In hoc casu, Triode moderatio adhiberi solet.

 

secundo, de impedimento initus

Impedimentum Triodii initus parva est, MOSFET initus impeditio magna est, capacitas junctura diversa est, capacitas Triodi coniunctio maior est quam MOSFET, actio igitur in MOSFET velocior quam Triode;MOSFETin stabilitate melioris, est conductor multi, strepitus parvis, scelerisque stabilitas melior est.

MOSFET resistentia interna valde parva est, et gutta in statu voltage Triode fere constans est, in parvis occasionibus currentibus, vulgo Triode utimur, et MOSFET etsi resistentia interna valde parva est, sed vena magna est, gutta quoque intentionis est. amplissimum.