Lego rectam MOSFET nam aurigae ambitus maxima pars estMOSFET lectio non est bona voluntas directe afficit efficientiam totius ambitus et sumptus problematum, sequentes dicimus angulum rationabilem pro electione MOSFET.
I, N-alveum et P-alveum lectio
(1), In communibus circuitibus, cum MOSFET fundatur et onus ad truncum intentione connexum, MOSFET latus transitum submissa intentione constituit. In humili voltage parte transitum, canalis MOSFET utendum est, ob considerationes intentionis quae requiritur ad avertendum vel convertendum in fabrica.
(2), cum MOSFET bus coniungitur et onus nititur, magna intentione transeundi adhibenda est. P-cannelMOSFETs Solent in hoc topologia adhiberi, iterum pro intentione cogitationis.
II, velle eligere iusMOSFETnecesse est intentionem determinare requiritur ad aestimationem intentionis, necnon in consilio facillimo ad effectum deducendi. Cum maior intentione aestimata est, ratio altiorem sumptus naturaliter requiret. Ad consilia portatilia, intentiones inferiores communiores sunt, pro industrialibus consiliis superiores intentiones requiruntur. Respectu ad experientiam practicam, aestimatio intentionis maior debet esse quam truncus vel bus intentionis. Hoc satis praesidii providebit ut MOSFET non deficiat.
3, sequitur structura circuitionis, aestimatio currens debet esse maxima currens ut onus sub omnibus circumstantiis sustinere possit, quod etiam in tuto collocatur aspectus necessarii considerandi.
4. Demum mutandi MOSFET observantia determinatur. Plures ambitus sunt qui commutationes effectus afficiunt, sed praecipuae portae/exhauriunt, portae fontem et capacitatem exhauriunt. Facultates hae commutationes in fabrica machinationis efficiunt quia inter singulas transitum accusari debent.
Post tempus: May-20-2024
