Vide MOSFETs

MOSFETs insulantes MOSFETs sunt in circuitibus integratis.MOSFETs, sicut unus e fundamentis machinis insemiconductor campus, late in circuitibus tabularum graduum quam in design. IC design. exhauriunt et fontemMOSFETs mutari potest, et in backgate P-typo formata cum regione N-type. Fere duo fontes convertuntur, ambo regionem N-typum constituentes inP-genus backgate. Fere hae duae zonae eaedem sunt, et etiam si hae duae sectiones sunt switched, perficiendi fabrica non patitur. Unde fabrica symmetrica esse censetur.

Principium:

MOSFET utitur VGS ad refrenandum quantitatem "causationis inductae" ad mutandam condicionem canalis conductivi ab his "imceptis inductus" ad imperium exhauriunt. Cum MOSFETs conficiuntur, numerus positivorum in strato insulating per processus speciales apparent, ut plura crimina negativa ex altera parte interfaciei sentiri possint, et N-regionis altae permeabilitatis immunditiae coniunctae His criminibus negativis et canalis conductivus formatur, et relative magna vena exhauriebatur ID, generatur etiam si VGS est 0. Si portae intentione mutatur, moles inducta in canalem mutatur et latitudo prolixae canalis tantum mutat. Si portae intentione mutatur, moles in canali inductus crimen mutabit, et latitudo in canali ducendo etiam mutabitur, sic vena ID exhauriens cum porta intentione mutabitur.

Munus:

1. applicari potest ad amplificatorem circuli. Propter altam inputationem ampliantis MOSFET impeditam, capacitas copulationis minor et capacitas electronica adhiberi non potest.

Impedimentum inputatio summa est apta conversioni ad impedimentum. Saepe usus est ad conversionem impediendam in initus stadii multi-aetatis ampliantis.

3° Resistente variabili adhiberi potest.

4, adhiberi potest ut switch electronica.

MOSFETs nunc in amplis applicationibus adhibentur, inter quas summus frequentia capita in televisione et commeatu potentiae commutandi sunt. Hodie, bipolaris ordinarii transistores et MOS simul componuntur ad formam IGBT (porta transistoris bipolaris insulata), quae late in locis potentiae altae utuntur, et MOS ambitus integrati proprium habent vilem consumptionem potentiae, et nunc CPUs late in usu sunt. MOS circuitus.