A MOSFET ambitum tenens in quo sunt resistores R1-R6, capacitores electrolytici C1-C3, capacitor C4, PNP triodium VD1, diodes D1-D2, Nullam intermediam K1, intentionem comparatorum, tempus duplicatum basi integratum DOLO NE556, et MOSFET Q1; cum paxillo No. 6 dualis basi temporis integrati chip NE556 ut signum initus inserviens, et unus finis resistoris R1 connexus simul cum Pin 6 e basi temporis dualis integrati chip NE556 adhibetur ut signum initus; unus finis resistoris R1 coniungitur cum 14 e basi duali temporis integrati chip N556, unus finis resistoris R2, unus finis resistoris R4, emittor PNP transistoris VD1, exhauriens MOSFET Q1, et DC. potentiae copiae, et alter finis resistoris R1 coniungitur cum 1 e basi duplicali-temporis integritatis chipi NE556, paxillus 2 e basi duplicati temporis integrati chip NE556, capacitas capacitatis electrolyticae positiva C1, et media nulla. K1 normaliter clusus contactus K1-1, alter finis intermedii Nullam K1 normaliter contactus K1-1 clausus, polus negativus capacitor C1 electronici et unus finis capacitor C3 connexae sunt potentiae supplendi terram, alter finis capacitor C3 ad clavum 3 temporis dualis basi cum chip integrato NE556, clavus 4 temporis dualis basi integratis DOLO NE556 iungitur cum capacitore positivi electronico C2 et alter finis resistor R2 simul, ac negativus polus electronici capacitor C2 coniungitur potentiae terrae copiam, et polus negativus capacitor C2 electrolytici adnectitur potentiae terrae copiam. Polus negativus C2 coniungitur potentiae supplendi terram, paxillus 5 temporis dualis basin doli integrati NE556 coniungitur cum extremo resistor R3, alter finis resistoris R3 coniungitur cum positivo initus voltage comparatoris. , pars negativa initus voltage comparatoris coniungitur cum polo positivo diodae D1 et ad alium finem resistoris R4 simul, polus negativus diodae D1 coniungitur potentiae terrae suppeditante et expositio. comparator intentione coniungitur fini resistoris R5, alter finis resistoris R5 cum PNP triplo coniungitur. Procuratio voltage comparatoris coniungitur uni extremo resistoris R5, alter finis resistoris R5 cum basi PNP transistoris VD1, collector transistoris VD1 PNP coniungitur cum polo positivo diodae. D2, polus negativus diodae D2, iungitur fini resistoris R6, fine capacitoris C4, simul porta MOSFET, alter finis resistoris R6, alter finis. capacitor C4, et alia extremitas mediae Nullam K1, omnes connexae potentiae copiam terrestrem, et alia extremitas mediae Nullam K1 connectitur fons et fonsMOSFET.
MOSFET retentionis circuii, cum A praebet signum felis humile, hoc tempore dualis basis temporis integralis chip NE556 posita, basis temporis dualis integralis chip NE556 pin 5 output altam gradum, altam in positivo initus voltage comparatoris, negativam phase input of voltage comparator a resistor R4 et diode D1 ut referat intentionem, hoc tempore, comparator output altam intentionem, altam gradum ut conductus Triode VD1, currente fluens a collectore triodi VD1 mandat capacitor C4 per diodum D2, simulque MOSFET Q1 perducit, hoc tempore, gyrus intermedii nullam K1 absorbetur, et intermedius Nullam K1 normaliter claudit contactum K 1-1 hians, et post medium. Nullam K1 normaliter clausam contactum K 1-1 disiungitur, copia potentiae DC ad 1 et 2 pedes basii duplicalis temporis integrati chip NE556 praebet copiam intentionis repositae donec voltatio in clavum 1 et paxillum 2 duplicatorum. basis temporis integralis chip NE556 oneratur ad 2/3 copiae intentionis, basis duplicalis temporis integralis chip NE556 automatice reset, et paxillus 5 basis duplicalis temporis integrati chip NE556 ipso facto in gradu humili restituitur; sequentes circuitus non operantur, dum hoc tempore, capacitor C4 emissa ad MOSFET Q1 conductionem conservandam usque ad finem capacitatis C4 obeundi, et medium coil emissio Nullam K1, medium nullum K1 normaliter clausum contactum K 11 clauditur, ad hoc. tempus per medium clausis Nullam K1 normaliter clausum contactum K 1-1 erit tempus duale basis integralis chip NE556 1 pedalis et 2 pedes intentionis emissio, tunc temporis ad dualem basim integratam chip NE556 acus 6 ad humilem felis signum ad faciendum basis temporis duplicatum integratum chip NE556 pone praeparandum.
Circuitus structurae huius applicationis simplex et nova est, cum basis temporis dualis integrata chip NE556 paxillus 1 et paxillus 2 ad 2/3 copiae intentionis, dualis basis temporis integralis chip NE556 sponte reset potest, duplicatum tempus basis integralis chip NE556 paxillus 5 automatice ad humilem gradum redeat, ita ut circuli subsequentes non laborant, ut sponte desinat capacitorem C4 emittere, et, cum incursu capacitoris C4 a MOSFET Q1 conductivo conservato, haec applicatio continue servare possit.MOSFETQ1 pro III seconds conductor.
Continet resistores R1-R6, capacitatem electrolyticorum C1-C3, capacitorem C4, PNP transistorem VD1, diodem D1-D2, Nullam intermedium K1, comparationem intentionis, tempus duale basi integratum chip NE556, et MOSFET Q1, paxillum 6 temporis dualis basi integratis. chip NE556 pro signo initus adhibetur, et unus finis resistoris R1 coniungitur cum 14 bini temporis basi cum chip integrato NE556, resistor R2, paxillus 14 temporis duplicalis basi integrati chip NE556 et paxillus 14 temporis dualis. baseos integrata chip NE556, et resistor R2 cum 14 e basi temporis duplicalis cum chip integrato NE556. paxillus 14 basis duplicalis temporis integrati chip NE556, unus finis resistor R2, unus finis resistor R4, PNP transistoris
Quale principium operandi?
Cum A praebet signum felis humile, tunc basis duplicalis temporis integralis chip NE556 posita, basis dualis temporis integralis chip NE556 pin 5 output altam gradum, altam in positivo initus voltage comparatoris, pars negativa initus est voltage comparatoris a resistor R4 et diode D1 ut referat intentionem, hoc tempus, intentionem comparatoris output altam, altam conductionem VD1 transistoris, fluit a collectore transistoris VD1 per diode D2 ad currentem. capacitor C4 increpans, hoc tempore, medium nullam K1 coil suctionem, medium nullam K1 coil suctionem. Vena fluit a collectore transistoris VD1, C4 per diode D2 oneratur capacitori, et simul;MOSFETQ1 agit, hoc tempore, gyrus intermediorum vitai K1 sucitur, et intermedius Nullam K1 normaliter-clausam contactum K 1-1 hians, et post medium Nullam K1 normaliter-clausam contactum K 1-1 hians, potestas copia intentionis quae a fonte DC potentiae ad 1 et 2 pedes duplicis timebasi integrati chip NE556 reponitur, donec voltatio in clavum 1 et paxillus 2 basi temporis integrati chip NE556 oneratur ad 2/3 of. copia intentionis, basis duplicalis temporis integralis chip NE556 automatice reset, et paxillus 5 e basi duplicalis temporis integrati chip NE556 sponte restituta est ad fundum humilitatis, et circuli subsequentes non laborant, et hoc tempore, capacitor C4 liberatur ad conductionem MOSFET Q1 conservandam usque ad finem missionis capacitoris C4, et gyrus intermediorum Nullam K1 exsolvitur, et medium Nullam K1 normaliter clausum contactum K 1-1 disiungitur. Nullam K1 normaliter clausum contactum K 1-1 clausit, hoc tempore per medium clausis Nullam K1 normaliter contactus K 1-1 clausus erit basis dualis temporis integralis chip NE556 1 pedes et 2 pedes in intentione emissio, tunc temporis ad basis temporis dualis integralis chip NE556 paxillus 6 felis signum ad humilem praebendum, ita ut basim duplicem temporis integralem chip NE556 statuto pararet.
Post tempus: Apr-19-2024
