Metal-Oxide-SemIConductor structurae transistoris cristallini vulgo dictiMOSFET, ubi MOSFETs in MOSFETs et N-type MOSFETs dividuntur. Circuli integrati ex MOSFETs compositi vocantur etiam MOSFET ambitus integrati et MOSFET finiti circuli ex PMOSFETs et proximi compositi.NMOSFETs vocantur CMOSFET ambitus integrales.
MOSFET constans ex p-type subiecto et in duobus locis n-patentibus cum valores magnos concentrationis, appellatur n-canaleMOSFET, et alveus conductivus causatus a canali n-type conductivo causatur per semitas n-patentes in duabus viis n-patentibus cum valoribus magnis concentratione quando tubum agit. n-alveus MOSFETs incrassatum habent alveum n-ductum ab alveo conductivo, cum pondus directionalis positivus in porta quam maxime elevatur et solum cum portae fons operationem requirit intentionem operativam excedentem intentionem limen. n-canalis deperditio MOSFETs eae sunt quae ad portam intentionem paratae non sunt (operatio fons portae nullam intentionem operantem requirit). Deperditio lucis n-canalis MOSFET est n-canale MOSFET in quo canalis conductivus causatur cum porta voltage (porta fons requirens operans intentionem operans nulla est) non praeparatur.
NMOSFET ambitus integrati sunt N-canali MOSFET potentiae ambitus supplent, NMOSFET ambitus integrati, resistentia input altissima, maxima pars non habent effusionem concoquendi potentiae fluxum, adeoque CMOSFET et NMOSFET circulos integros connexos sine ratione suscipiendi. account the load of power flow. NMOSFET ambitus integrati, maxima pars electionis unius coetus positivi mutandi potestatem copiam circuit potentiae copiam circuitus Plerique circuitus NMOSFET ambitus integrati utuntur una positivi commutatione potentiae copiam circuitionis copiam circa ambitum, et ad 9v pro magis. CMOSFET ambitus integros tantum opus est, ut eadem mutandi potentia copia circuii copiam copiarum circa NMOSFET circuitus integrales, cum NMOSFET circulis statim integratis coniungi possit. Sed ab NMOSFET ad CMOSFET statim connexis, quia resistentia NMOSFET output traho minor est quam CMOSFET ambitus integrati resistentiam viverra intente, ideo adhibere conantur differentiam potentialem resistor R traho, valor resistoris R est vulgo 2 ad 100KΩ.
Construction of N-canali incrassatis MOSFETs
In P-typo silicon substrato cum valore concentrationis humili doping, duae regiones N cum magno valore concentratione doping fiunt, et duae electrodes ex metallo aluminii trahuntur ut d et fons s exhaurienti inserviat.
Deinde in superficie componentia semiconductor larvatus tenuissimum stratum tubi silicae insulantis, in fonte exhauriente tubo insulante inter exhauriendum et fontem alterius aluminii electrode, ut porta g.
In subiecto etiam educunt electrodem B, quae ex N-canali denso MOSFET constat. MOSFET fons et subiecta plerumque inter se cohaerent, maxima pars tibiae in officina iam diu coniuncta est, portae eius et aliae electrodes inter armamentis insulae sunt.
Post tempus: May-26-2024
