MOSFET circuitus anti-reverso est mensura tutelae adhibita ne circuitio oneris ne laedatur per verticitatem potentiae adversae. Cum potestas suppleat verticitatem rectam, in circuitu operatur regulariter; Cum potestas suppleat verticitatem verticitatem, circuitus automatice disiungitur, ita onus a damno tutatur. Haec est accurata analysis MOSFET anti-reverso ambitum:
Primum, fundamentale MOSFET anti-reverso ambitum
MOSFET anti-reverso ambitum mutandi notas MOSFET utens, portae (G) intentione moderando ut perspiciat ambitum interdum. Cum potestas suppleat verticitatem rectam, porta intentione MOSFET in statu conductione facit, current normaliter fluere potest; Cum potestas suppleat verticitatem verticitatem, porta intentione MOSFET conductionem facere non potest, ita ambitum interclusum.
Secundo, specifica perceptio MOSFET anti-reverso ambitum
1. N alveum MOSFET anti-reverse circuit
N-canali MOSFETs solere consueverunt ad circulos anti-reversos cognoscendos. In ambitu, fons N-canali MOSFET cum negativo oneris termino coniungitur, exhaurire (D) cum positivo termino copiae potestatis coniungitur, et porta (G) coniungitur. Negative terminatio potestatis supplet per resistentem vel per ambitum moderatum.
Connexio ante: terminatio positiva copiae potentiae ad D coniungitur, et terminatio negativa cum S. Hoc tempore, resistor fontem portae praebet voltage (VGS) pro MOSFET, et cum VGS maior est quam limen. voltage (Vth) MOSFET, MOSFET conductus, et fluit ex termino positivo potentiae copiae oneris per MOSFET.
Quando reversed: terminatio positiva potentiae copiae coniungitur cum S, et terminatio negativa cum D. coniungitur. Hoc tempore, MOSFET in statu intervalli est, et circuitio disiungitur ad defendendum onus ab damno quod porta intentione satis VGS facere MOSFET (VGS minus quam 0 vel multo minus quam Vth).
2. Munus Auxiliaris Components
Resistens: Solebant portae fontem MOSFET praebere voltationem et limitare portae currentis ne portae damnum incurrerent.
Ordinator intentionis: componentia ad libitum adhibita impedire voltagium portae fontem esse nimis altum et MOSFET destruendi.
Parasiticus Diode: Diode parasitica intra MOSFET existit, sed eius effectus plerumque per ambitum consilio negligi vel vitari solet, ut detrimentum suum effectum in anti-reverso circuitu evitet.
Tertio, commoda MOSFET anti-reverso ambitum
Minimum damnum: MOSFET in-resistentia parva est, in-resistentia intentione reducitur, ergo damnum ambitus parvum est.
Alta commendatio: munus anti-versa per simplicem ambitum designari potest, et MOSFET ipsa altam fidem habet.
Flexibilitas: MOSFET diversa exempla et consilia ambitum eligi possunt ad diversa applicationis requisita.
Cautiones
In consilio MOSFET anti-reverso ambitum, debes curare ut lectio MOSFETs ad applicationes opportunas, incluso intentione, currenti, mutandi velocitate aliosque parametri.
Oportet considerare influentiam aliorum partium in ambitu, ut capacitatem parasiticam, inductionem parasiticam, etc., ut ad vitandum effectus adversos in ambitu effectus.
In applicationibus practicis, adaequata probatio et verificationis requiruntur etiam ad stabilitatem et firmitatem circuitus.
In summa, MOSFET ambitus anti-reverso est simplex, certa et humilis iactura potentiarum rerum tutelam supplet quae late adhibetur in variis applicationibus quae impeditionem potentiae contra verticitatem requirunt.
Post tempus: Sep-13-2024
