MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effectus Transistor) saepe cogitaverunt cogitationes plene moderari. Hoc est, quia status operativus MOSFET portae intentionis (Vgs) perfecte refrenatur et in basi currenti non dependet sicut in transistoris bipolaris (BJT).
In a MOSFET, porta intentione Vgs determinat num canalis conductus inter fontem et exhaurire formatur, necnon latitudo et conductiva canalis ducendi. Cum Vgs superat limen intentione Vt, conductus alveus formatur et MOSFET intrat statum; cum Vgs infra Vt cadit, alveus conductus evanescit et MOSFET in statu exciso est. Haec moderatio plene moderatur, quia porta voltagium independenter et presse moderari potest statum operantem MOSFET sine aliis parametris currentis vel intentionis confisus.
E contra, status operativus machinarum mediarum continentium (exempli gratia thyristores) non solum a potestate intentionis vel currentis afficitur, sed etiam ab aliis factoribus (exempli gratia, anode voltage, current, etc.). Quam ob rem machinis plene moderatis (exempli gratia MOSFETs) melius praestare consuevit observantiam termini subtilitatis et flexibilitatis moderandi.
In summa, MOSFETs cogitationes plene moderantur quarum operandi status per portam intentionem perfecte refrenatur, et commoda altae subtilitatis, altae flexibilitatis et humilis potentiae consummationis habent.
Post tempus: Sep-20-2024
