Hodie in communi potestate summusMOSFETut breviter principium eius operationis introducamus. Vide quomodo opus suum intelligat.
Metal-Oxide-Semiconductor id est, Metal-Oxide-Semiconductor, hoc nomen accurate describit structuram MOSFET in ambitu integrali, hoc est: in quadam fabrica fabricae semiconductoris, cum dioxide et metallo pii copulata, formatio. portae.
Fons et exhauriunt MOSFET opposabiles sunt, utraque zonae N-type in backgate formatae. In pluribus locis duo idem sunt, etsi utraque pars actionis ratio non afficit commensurationem, talis ratio symmetrica habetur.
Classification: iuxta genus materiae canalis et portae insulatae cuiuslibet generis N-canni et P-alvei duo; secundum modum conductivum: MOSFET in deperditionem et amplificationem dividitur, sic MOSFET in N-alveum deperditionem et amplificationem dividitur; P-alvei deperditio et amplificatio quatuor majorum generum.
MOSFET principium operationis - notae structuralesMOSFETquod unum tantum vehicularium verticitatem (polys) in conductivo implicatum agit, unipolaris transistor est. Mechanismus gerendi eadem est ac humilis potentia MOSFET, sed structura magnam differentiam habet, humilis potentia MOSFET est fabrica horizontalis conductiva, maxime potentia verticalis MOSFET structura conductiva, etiam quae VMOSFET nota est, quae MOSFET multum melioratur. fabrica intentione et vena facultatem sustinere. Praecipuum notabile est quod iacuit insilicae insulationis inter portam metallicam et alveum, ideoque altam input resistentiam habet, tubus in duas concentrationes altas zonae diffusionis n ad formam conductivam canalem formandam habet. n-canale amplificationem MOSFETs ad portam cum biculo deinceps applicari debet, et solum cum portae fons intentionis maior est quam limen voltatio canalis conductivi a MOSFET n-canali generato. n-canale deperditio generis MOSFETs sunt n-canale MOSFETs in quo canales faciendi generantur cum portae intentionis nulla applicatur (porta fons intentionis nulla est).
Principium operationis MOSFET moderari est quantitatem "inducti criminis" utendo VGS ad mutandam condicionem canalis conductivi formatum per "praeceptionem inductum", et deinde ad propositum moderandum exhauriendum. In tubulis fabricandis, per processum iacuit insulating in eventu permultae positivae, ita in altera parte interfaciei crimen negativum magis adduci potest, haec crimina negativa ad altam penetrationem spurcitiarum in N. regio connexa formationi canalis conducti, etiam in VGS = 0 est etiam magnae currentis lacus ID. Cum portae intentione mutatur, moles sumptus in canalem inductus etiam mutatur, et canalis conductivus latitudinis et angustiae canalis et mutationis, et sic lacus current ID cum porta intentione. vena ID variat cum porta intentione.
Nunc applicatioMOSFETmultum emendavit hominum eruditionem, efficaciam laboris, dum vitae qualitatem nostram emendavit. Cuius intellectus magis rationalisatus habetur per simplicem intellectum. Non solum voluntas adhibenda est ut instrumentum, magis intellegendi proprietates eius, principium laboris, quod etiam nobis multum fun- dabit.
Post tempus: Apr-18-2024
