Quomodo determinare nMOSFETs et pMOSFETs?

I. Secundum directionem current fluxus

NMOSFET.Cum vena a fonte manat (S) ad exhauriendum (D), MOSFET est NMOSFET In an NMOSFET, fons et exhauriunt n-type semiconductores et porta est p-type semiconductor. Cum porta intentione positivus respectu fontis, n-typus conductor canalis in superficie semiconductoris formatur, permittens electrons a fonte ad exhaurire manare.

PMOSFET.A MOSFET est PMOSFET cum vena ab exhauriente (D) ad fontem (S) In a PMOSFET manat, et fons et exhaurire sunt p-type semiconductores et porta est semiconductor n-type. Cum porta intentionis respectu fontis negativa est, p-typus conductor canalis in superficie semiconductoris formatur, foramina manare permittens a fonte usque ad exhaurire (nota quod in descriptione conventionali adhuc dicimus hodiernam vadit ab D ad S, sed est actu directionis qua foramina moventur).

*** Interpretatio cum www.DeepL.com/Translator (versio libera) ***

II. Secundum directionem parasiticae

NMOSFET.Cum diode parasitica a fonte monstrat (S) haurire (D), est NMOSFET. diode parasitica structura intrinseca MOSFET est intrinseca, cuius directio nos adiuvare potest ad MOSFET genus determinare.

PMOSFET.Diode parasitica est PMOSFET cum ab exhaurire (D) ad fontem (S).

III. Secundum relationem inter imperium voltage et electrica conductivity electrode

NMOSFET.An NMOSFET agit cum porta intentione positiva respectu fontis intentionis. Causa est, quia porta positiva voltage in superficie semiconductoris canales ducentes n-type creat, electrons fluere permittens.

PMOSFET.A PMOSFET cum porta intentione agit negans est respectu fontis intentionis. Intentione porta negativa in superficie semiconductoris alveum p-typum ducentem creat, perforata defluentia (seu currenti ab D ad S) permittens.

IV. Aliae rationes auxiliares iudicii

Visum notae fabrica:In quibusdam MOSFETs, notatio vel exemplar numerus potest esse qui suum genus agnoscit, et consulendo notitias schedae pertinentes, confirmare potes an NMOSFET sit an PMOSFET.

Usus instrumentorum testium:Acus resistentiae MOSFET vel eius conductionis metiens per instrumenta testium diversarum intentionum per instrumenta testium quae multimetri possunt etiam adiuvare ad eius genus determinandum.

In summa, iudicium de NMOSFETs et PMOSFETs maxime exerceri potest per directionem currentem, directionem diodae parasiticae, relationem inter voltage et conductivity control electrodum, necnon notationem et usum instrumentorum testium inhibendi. In applicationibus practicis, modus opportunus iudicii seligi potest secundum condicionem specificam.