Parametri ut portae capacitatis et in resistentia MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) magni momenti sunt indices magni momenti perpendendis suis effectibus. Explicatio horum parametri est explicata;
I. Porta capacitas
Capacitas portae principaliter includit capacitatem (Ciss), output capaci- tatem (Coss) et e contrario capacitas translationis (Crss, quae etiam capacitas Miller nota est).
Input Capacitance (Ciss);
DEFINITIO: Initus capacitas est tota capacitas inter portam et fontem et exhaurire, et constat ex porta fonte capacitance (Cgs) et portae capacitatem (Cgd) connexum in parallelis, ie Ciss = Cgs + Cgd.
Munus: Input capacitas mutandi celeritatem MOSFET afficit. Cum initus capacitatis ad limen intentioni mandatur, ratio verti potest; emissa ad certum valorem, fabrica flecti possunt. Itaque circuitio pulsis et Ciss directam ictum habent in mora machinis vice-in et vicissim-off.
Facultas output (Coss);
Definitio: Facultas output est tota capacitas inter exhaurire et fontem, et constat ex fundamento capacitatis (Cds) et portae secessum capacitatis (Cgd) in parallelis, ie Coss = Cds + Cgd.
Partes: In applicationibus mollis switching valde maximus Coss quia resonare potest in circuitu.
Reverse Capacitance Transmissio (Crss);
Definitio: Contrarium translationis capacitas aequipollet portae capacitatem exhaurire (Cgd) et saepe refertur ad capacitatem Miller.
Partes: Inversa capacitas translationis modulus magni momenti est ad tempora transitus ortus et casus, et etiam ad temporis moram vicissitudinem pertinet. Facultas pretii decrescit sicut voltage-fontis adcrescit.
II. Repugnantia (Rds(on))
Definitio: Resistentia est resistentia inter fontem et exhaurire MOSFET in statu in statu sub certis conditionibus (exempli gratia vena specifica lacus, porta voltage, et temperatus).
Influentia: In-resistentia valorem certum non est, afficitur temperie, quo caliditas altior, eo maior Rds(on). Praeterea quo altiores intentione resistendi, quo densior structurae internae MOSFET, eo superior respondet resistentia.
Momentum: Cum designans copiam mutandi vim vel circuitionem coegi, necesse est considerare in resistentia MOSFET, quia vena fluit per MOSFET industriam in hac resistentia consumet, et haec pars energiae absumptae appellata est. resistentia, dispendium. Eligendo MOSFET cum humilis in-resistentia potest reducere in-resistentia detrimentum.
Tertio, alii parametri magni
MOSFET praeter portae capacitatem et in-resistentiam, alia quaedam parametri magni momenti habet ut:
V(BR)DSS (Exhaurire Source Breakdown Voltage);Fons exhauriens voltage, ad quem vena per secessum fluit, certum valorem attingit ad specificam temperaturam et ad fontem portae abbreviatum. Supra valorem, fistula laedi potest.
VGS(th) (limen intentionis);Porta intentione requirenda est ut rivum ducatum inter principium et exhaurire incipiant formare. Pro norma N-canali MOSFETs, VT circiter 3 ad 6V.
ID (Maximum Continuum Exhaurire Current):Maximum continuum DC currenti admitti potest a chip in adiunctis temperaturis maximam aestimatam.
IDM (Maximum Pulsed Exhaurire Current):Respicit campum venae pulsae quod fabrica tractare potest, cum vena pulsu multo altior quam continuus DC current.
PD (dispositio maximae potentiae);machinam maximam vim consummationis dissipare potest.
In summa, portae capacitatis, resistentiae, et aliorum parametri MOSFET criticae ad eius effectum et applicationem sunt, et opus est seligi et designari secundum specificam applicationem missionum et requisitorum.
Post tempus: Sep-18-2024
