MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effectus Transistor) habet tres polos qui sunt:
Porta:G, porta MOSFET basis bipolaris transistoris aequiparatur et ad conductionem et abscissionem MOSFET moderandam adhibetur. In MOSFETs, porta intentione (Vgs) decernit utrum canalis conductivus inter fontem et exhaurire formatur, necnon latitudo et conductivity canalis conductivi. Porta fit ex materiis ut metallo, polysilicon, etc., et circumdatur strato insulato (plerumque dioxide silicon) ne vena directe in vel extra portam influat.
Source:S, fons MOSFET idem valet ac emittente transistoris bipolaris et ubi fluit currens est. In N-canali MOSFETs, fons plerumque cum negativo (seu terra) copiae potentiae coniungitur, dum in P-channel MOSFETs, fons iungitur cum termino positivi potentiae copiae. Fons est unus e partibus clavibus quae ducentem canalem effingunt, quae electrons (N-channel) vel foramina (P-channel) exhauriunt cum porta voltage satis alta est.
Exhaurire:D, exhaurire MOSFET exactorem transistoris bipolaris aequiparatur et est ubi vena influit. Exhaurire plerumque oneri coniungitur et tamquam in gyro currenti agit. In MOSFET, exhaurire est alius finis alvei conductivi et cum porta intentione moderatur alveum conductivum inter fontem et exhaurire, vena a fonte manare potest per rivum conductivum ad exhauriendum.
In nuce porta MOSFET interdum moderari solet, fons est ubi vena effluit, et exhaurire est ubi currens influit. Una, hi tres poli statum operantem et observantiam constituunt MOSFET. .
Post tempus: Sep-26-2024
