Multae variationes circuitus symbolorum MOSFETs communiter adhibentur. Consilium communissimum est recta linea repraesentans alveum, duae lineae perpendiculares canali repraesentante fontem et exhauriunt, et linea brevior parallela canali in porta sinistra repraesentans. Interdum linea recta canalem repraesentans substituitur etiam in linea fracta ad modum amplificationis distinguendummosfet seu deperditionis modus mosfet, qui etiam in N-canalem MOSFET et P-canalem MOSFET dividitur, duo typi symbolorum circuli in figura (diversa directio sagittae).
Potentia MOSFETs operantur dupliciter:
(1) Cum intentione positiva ad D et S addatur (defluat affirmativa, fons negativa) et UGS=0, coniunguntur PN in regione corporis P et regione N exhauriente e converso, obversis et inter D transitum non datur. et S. Si positivus intentione UGS inter G et S addatur, nulla porta currenti fluet quia porta insulata est, sed positivus intentione ad portam foramina ab P regione subter ventilabit, et minoritas cursorium electrons erit. attrahitur ad superficiem regionis P Cum UGS major quadam intentione UT, electronica retrahitur in superficie regionis P sub porta retrahitur foraminis superabit, ita faciens P-typus semiconductor antipattern iacuit N-type semiconductor. ; Haec tabula antipattern inter alveum N-typum efficit inter fontem et exhauriunt, ita ut PN coniunctas evanescat, fons et conductor exhauriunt, et id quod exhauriunt vena per exhauriunt. UT vocatur tractus in intentione seu limen intentione, et quo plus UGS superat UT, eo proclivius est capacitas conductiva, et quo maior ID est. Quo maior UGS superat UT, quo conductivity validior, eo maior ID.
(2) Cum D, S plus negativa intentione (fonte positivo, negativo exhauriente), PN coniunctio procax intendit, aequivalens cum interna reverso diode (non habet notas velox responsionis), id est, inMOSFET non habet facultatem obturans vicissim, potest videri conductio inversa composita.
perMOSFET principium operandi videri potest, eius conductio una tantum vehiculariorum verticariorum in conductivo implicatur, sic etiam notus transistor unipolaris. MOSFET coegi saepe in potentia copiae IC et MOSFET parametri ad eligendum congruum ambitum, MOSFET plerumque ad commutationes usus. potestatis copiam depelleret ambitu. Cum MOSFET copiae mutandi utendo cogitando, plerique putant repugnantiam, maximam intentionem, et maximam MOSFET currentem. Attamen homines persaepe tantum has causas considerant, ut ambitus recte operari possit, sed solutionem non bonam consilio. Ad accuratiorem designationem MOSFET propriam etiam informationem parametri considerare debet. Ad certum MOSFET, eius circuitus incessus, fastigium agitationis output, etc., mutandi MOSFET observantia afficiet.
Post tempus: May-17-2024
