Explicatio cuiusque parametri potestatis MOSFETs

VDSS Maximum Drain-Source Voltage

Cum fons portae abbreviatus, fons exhauriens intentionis aestimationem (VDSS) est maxima intentione quae ad fontem exhauriente sine NIVIS naufragii applicari potest. Secundum ad temperatus, ipsa NIVIS naufragii intentione minor potest quam aestimavit VDSS. Pro prolixiore V(BR)DSS descriptione, vide Electrostatic

Pro accurata descriptione de V(BR)DSS, vide Characteres Electrostatici.

VGS Maximum Gate Source Voltage

In VGS aestimationem intentionis est maxima intentione quae inter polos portae applicari potest. Praecipuum propositum huius intentionis aestimationem ponendi est ne detrimentum portae oxydi ex nimia intentione fiat. Ipsa intentione quam oxydatum portae sustinere potest multo altior est quam voltage aestimatae, sed cum processu fabricationis variabunt.

Ipsum oxydatum portae multo altiores voltages quam voltages aestimatae sustinere possunt, sed hoc cum processu fabricando variabit, ita observatio VGS intra intentionem aestimativam fidem applicationis obtinebit.

ID - Continua ultrices Current

ID definitur maximum licitum continuum DC currente ad maximam juncturam temperatam aestimatam, TJ (max), et tubo superficiei 25°C vel superiori temperaturam. Hic parameter est functio scelerisque resistentiae aestimatae inter commissuram et causam, RθJC, et casuum temperiem;

Damna permutationis in ID non comprehenduntur et difficile est ad 25°C (Tcase) temperaturam superficiei tubuli conservare ad usum practicum. Itaque, ipsa commutatio venarum in applicationibus duris commutationes plerumque minus quam dimidia pars aestimationee ID @ TC = 25°C, plerumque in latitudine 1/3 ad 1/4. complens.

Accedit, ID temperatura specifica aestimari potest si resistentia scelerisque JA adhibeatur, quae melioris pretii est.

IDM - Impetus Exhaurire Current

Hic modulus moles venarum pulsantium reflectit machinam tractare potest, quae multo altior est quam continua DC currenti. Finis definiendi IDM est: regio ohmica lineae. Nam aliquam porta sapien,MOSFETconducts cum maxime exhauriunt current praesens

vena. Ut in figura ostenditur, ad fontem portae datae intentionis, si punctum operativum in regione lineari situm est, incrementa venae exhauriunt intentionem exhauriens, quae conductionem damna auget. Longa operatio in alta potentia in fabrica deficiet. quamobrem

Ideo nominalis IDM infra regionem apponi debet ad portae typicae voltages coegi. Regionis punctum intervalli est ad sectionem Vgs et curvae.

Ergo modus densitatis superioris currentis debet apponi, ne spumam accipiat nimis calidam et urentem. Hoc essentialiter est ne nimia vena per sarcinam fluat ducit, cum in quibusdam casibus "connexum tenuissimum" in toto chip non est chip, sed sarcina ducit.

Considerans limites effectus scelerisque in IDM, auctum temperaturae latitudinis pulsum dependens, temporis intervallum inter pulsuum, calorem dissipationis, RDS(on), et fluctus formas et amplitudinem venae pulsus. Simpliciter satisfaciens venam venam IDM limitem non excedere, non spondere temperaturas commissuras

maximum valorem licita non excedit. Conjunctio temperatura sub vena pulsante aestimari potest referendo ad tractationem de resistentia mobilis scelerisque in Proprietatibus Thermal et Mechanica.

PD - Totalis permissa Channel Power dissipatio

Totalis permissa Channel Potestatis Dissipatio calibrat maximam potentiam dissipationis quae per machinam dissipari potest et exprimi potest functio maximae commissurae temperaturae et resistentiae scelerisque in casu temperaturae 25°C.

TJ, TSTG - Operating et Repono Ambient Temperature Range

Hi duo parametri calibrare confluentes temperaturae ambitus permiserunt per ambitus operandi et reponendi. Haec temperatura range est in occursum minimum operantis vitae machinae. Curandum est ut machinae in hac temperatura extensione operante multum operantem vitam suam extendant.

EAS-Single Pulsus NIVIS DEFECTIO Energy

Si voltage LUXURIA (plerumque ob lacus venas et inductum vagantes) naufragii intentionem non excedit, machina NIVIS naufragii non subibit et ideo facultate NIVIS naufragii dissipandi non indiget. NIVIS DEFECTIO energiae calibratae transitoriis energiae quae machinam tolerare potest.

energia NIVIS naufragii definit valorem tutum voltagium latioris transeuntis quod machinam tolerare potest, et dependet ex quantitate energiae quae dissolvi debet propter naufragii NIVIS eventum.

A fabrica quae energiae naufragii avalanche definit rating, plerumque etiam aestimationem EAS definit, quae in sensu UIS rating similis est, et quantum in contrarium NIVIS naufragii industriae machinam tuto absorbere potest definit.

L inductio valoris et iD est apicem currentis inductoris influentis, quod abrupte convertitur ad venam in fabrica mensurae exhauriendam. Voltatio trans inductor generata intentionem MOSFET naufragii excedit et in naufragii NIVIS CASUS proveniet. Cum naufragii NIVIS CASUS occurrit, vena inductore per MOSFET fabrica quamvis thea fluetMOSFETabest. Vis in inductore condita similis est industriae inductore vago conditae et a MOSFET dissipatae.

Cum MOSFETs parallelis colligantur, naufragii intentiones vix identicae sunt inter strophas. Id quod fieri solet est ut una machina primum NIVIS naufragii experiatur et omnes NIVIS naufragii currentes sequentes (vi) per illam machinam fluant.

EAR - Energy of Repetens Avalanche

Vim repetitae avalanche "vexilla industriae" facta est, sed sine frequentia, alia damna et tantum refrigerationis, hic modulus significationem non habet. Calor dissipationis (frigiditatis) conditionem saepe repetita avalanche energia gubernat. Difficile est praedicere gradum energiae generatae ex naufragii NIVIS.

Difficile est praedicere gradum energiae generatae ex naufragii NIVIS.

Vera significatio auris rating est repetitam NIVIS naufragii industriam quam fabrica sustinere potest calibrare. Haec definitio praesupponit non esse limitationem frequentiae ut machinatio non aestuat, quae realistica est pro qualibet arte ubi NIVIS naufragii fieri potest.

Est utilem cogitationem ad temperaturam machinae in operatione vel calore descendentem metiendam videre si MOSFET machinam exardescere in confirmatione machinis consiliorum, praesertim pro machinis ubi naufragii NIVIS CASUS solet evenire.

IAR - Avalanche Naufragii Current

Aliquot machinis, tendentia hodiernae in ore in chip in NIVIS naufragii postulat ut NIVIS currens IAR limitetur. Hoc modo NIVIS CASUS fit "subtilis print" energiae specificationis naufragii NIVIS; veram facultatem artificii patefacit.

Pars II Static Electrical Characterization

V(BR)DSS: Drain-Source Naufragii Voltage (Destruction Voltage)

V(BR)DSS (interdum VBDSS vocatus) est intentionis fons exhauriens, ad quem currens per exhauriunt valorem specificum temperaturae specificae et cum portae fonte abbreviatus. Fons exhauriens intentione in hoc casu est NIVIS naufragii intentionis.

V(BR)DSS coefficiens temperatura positiva est et temperaturas humilis V(BR)DSS minor est quam maxima aestimatio fontium voltage exhaurientium ad 25°C. Ad -50°C, V(BR)DSS minor est quam maxima aestimatio voltage-fontis ad -50°C. Ad -50°C, V(BR)DSS est circiter 90% maximi fundationis voltage rating in 25°C.

VGS(th), VGS(off): limen voltage

VGS (th) est voltatio ad quam fons additae portae intentionis principium causare potest exhaurire incipiunt habere current, vel currens evanescere cum MOSFET avertit et condiciones probationis (exhaurire current, haurire fontem voltage, coniunctionem temperies) etiam denotare. Communiter omnes cogitationes MOS portae habent diversas

limen voltages diversum erit. Ergo distributio variationis VGS specificatur. VGS(th) est coefficiens temperatus negativus, oritur temperatus;MOSFETconversus ad fontem portae relative humilis intentione.

RDS (on): Resistentia

RDS(on) resistentia fundatoris mensuratur ad venam exhauriendam (plerumque dimidium currentis ID), portae fontis voltage, et 25°C. RDS(on) resistentia fons exhauriens mensuratur ad venam exhauriendam (plerumque dimidium currentis ID), portae fontis voltage, et 25°C.

IDSS: nulla porta voltage exhauriunt current

IDSS lacus est vena inter exhaurire et fontem in certa intentione fundationis fontis, cum portae-fontis inceptio nulla est. Cum lacus vena cum temperatura augetur, IDSS specificatur in utroque cubiculo et in calidis temperaturis. Potestas dissipatio propter lacus current computari potest multiplicando IDSS per intentionem inter fontes haurientes, quod plerumque neglegendus est.

IGSS - Porta Source lacus Current

IGSS lacus est vena per portam fluens ad fontem quendam portae voltage.

Pars III Dynamic Electrical Characteres

Ciss: Input capacitance

Facultas inter portam et fontem, signo AC mensurata breviando exhauriendo ad fontem, est input capacitas; Formatur Ciss iungendo portam exhaurire capacitatem, Cgd, et portae fontem capaci- tatis, Cgs in parallelis, seu Ciss = Cgs + Cgd. Cogitatus volvitur cum initus capacitatis ad limen intentioni obicitur, et avertitur cum ad certum valorem emittitur. Ergo, auriga circuii et Ciss directam habent ictum in vicis-in et in vicis-off mora machini.

Coss: output capacitance

Exitus capacitas est capacitas inter exhaurire et fontem AC signo mensurato cum portae fons breviato, formatur Coss parallelo fundamento capacitatis Cds et portae exhaurientis capacitatis Cgd, seu Coss = Cds + Cgd. Nam mollis applicationes switching valde maximus Coss quia resonare potest in circuitu.

Crss : Reverse Transfer Capacitance

Facultas mensurata inter exhaurire et portam ex fonte fundato est capacitas translationis inversa. Contrarium translationis capacitas capacitatem portam exhaurire aequipollet Cres = Cgd, et saepe vocatur capacitas Miller, quae est una ex maximis parametris ad ortum et casum temporum virgarum.

Est modulus magni momenti ad commutationes temporum oriuntur et cadunt, et etiam temporis mora vicissitudines afficit. Facultas decrescit sicut in intentione exhauriente crescit, praesertim in output capacitatis et e converso translationis capacitas.

Qgs, Qgd, et Qg: Porta præcipe

Porta crimen pretii reflectit crimen conditum in capacitore inter terminales. Cum crimen de capacitor mutatur cum voltage in instanti mutandi, effectus portae custodiae saepe consideratur cum gyros agitator portae cogitans.

Qgs crimen est ab 0 ad punctum primum inflexionis, Qgd est portio a puncto primo in punctum secundum (etiam "Miller" appellatum), et Qg est portio ab 0 ad punctum ubi VGS aequat coegi specifici. intentione.

Mutationes in lacus current et in ultrices source voltage relative small effect on the porta crimen pretium, porta ac tortor non urna. Conditiones test specificantur. Aliquam lacinia purus sollicitudin portae in scheda datae ostenditur, inclusa portae oneris variatione curvarum pro certo lacus currenti et vario fonte voltage lacus.

Praefectum portae correspondentis curvarum variationum ad certum exhaurire currentem et variam fontem exhaurire voltagenarum in schedae datarum comprehenduntur. In graphe, campestria voltage VGS(pl) minus crescit cum incremento (et decrescit cum decrescentibus). Planities intentionis etiam proportionalis est ad limen voltage, ideo alia intentione limen aliam campestri intentione producet.

intentione.

Sequentia schematisma magis expressa et apposita sunt:

td (a) in tempore morae

Tempus intempestivum tempus est ex quo portae fons intentione oritur ad 10% portae intentionem agitandi ad cum lacus current ad 10% certae currentis surgit.

td (aberat) mora temporis

Vicissim morae tempus est tempus ab quo portae fons intentionis guttae ad 90% portae intentionem agitant ad cum ultrices currentis guttae ad 90% currentis determinati. Inde ostendit moram periti antequam ad onus transferatur.

tr: Surge Tempus

Tempus ortum est tempus quod haurit currentem ut ab 10% ad 90% exsurgat.

tf: Domine tempus

Tempus est lapsum, cum tempus habet ut vena exhauriendi ab 90% ad 10% cadere possit.