Differentiae inter IGBT et MOSFET

IGBT (Insulatae portae Bipolar Transistor) et MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effectus Transistor) sunt duae cogitationes communes semiconductores in potentia electronicarum late adhibitas. Utraque autem essentialia in variis applicationibus, signanter in pluribus rationibus differunt. Infra differentiae primariae sunt inter IGBT et MOSFET;

1. Opus Principium

- IGBT: IGBT notas componit utriusque BJT (Coniunctionis Bipolaris Transistoris) et MOSFET, quod fabricam hybridam facit. Basi BJT per portam intentionis MOSFET moderatur, quae in tractu conductionis BJT et interclusionis moderatur. Etsi conductio et processuum intervalli IGBT inter se implicati sunt, humilitas conductionis intentionis damna et altam intentionem tolerantiae notat.

- MOSFET: MOSFET est effectus transistor agri, qui in semiconductore per portam intentionem regat. Cum porta voltage fontem voltage superat, formas lavacrum conductivum fluere sinit. Vicissim, cum porta intentione sub limine est, iacuit conductivus evanescit et vena fluere non potest. MOSFET operatio est simplex respective, cum velocitatum commutatione velocium.

2. Application Areas

- IGBT: Ob altam intentionem tolerantiae, conductionis intentionis humilis iacturae, et celeritatis mutandi effectus, IGBT aptissima est ad altae potentiae, demissa applicationes sicut inverters, motores motores, machinis glutinis et commeatus sine interruptibilis potentia (UPS) . In his applicationibus, IGBT efficienter altum intentionem et altam venam mutandi operationes administrat.

- MOSFET: MOSFET, cum sua celeri responsione, alta inputa resistentia, stabilis mutandi effectus, et humilis sumptus, late in potentia humili, celeriter mutationibus adhibitis, ut copiae copiarum modus, accendendi, audiendi amplificandi, et circumscriptiones logicae. . MOSFET egregie bene exercet in applicationibus humilibus et humilibus intentione.