Differentia inter potentiae output MOSFET et bipolaris output potentiae crystalli triodi

Hodie, cum celeri progressu scientiae et technologiae, semiconductores magis ac magis industrii adhibentur, qua;MOSFET Est etiam usitatissimum semiconductoris machinamentum, proximus gradus est intelligere quae sit differentia inter qualitates transistoris crystalli potentiae bipolaris et potentiae MOSFET output.

I, via laboris

MOSFET opus est ad intentionem operantem promovendam, diagrammata ambitum respective simplicia explicant, potentiam parvam promovent; potentia transistoris crystallini est potentia fluxus promovendi propositum consilio magis implicatum, specificationem electionis promovere difficile est promovere specificationem periclitari potentia copia summa celeritate mutandi.

II, summa celeritate mutandi potestatem copia

MOSFET temperatura affecta parva est, potentia copiae mutandi output potestas efficere potest ut plus quam 150KHz; potentia transistoris crystallini perpaucos habet crimen repositionis terminum suae potestatis copiam celeritatis mutandi, sed potentia eius output plerumque non plus quam 50KHz est.

III, Tutus operantes area

Potentia MOSFET secundarium fundamentum non habet, lata et tuta operario; potentia transistoris cristallina habet condicionem secundariam condicionem, quae spatium laboris tutum limitat.

IV Electrical conductor opus postulationem opus voltage

PotestasMOSFET pertinet ad alta intentione genus, conductio laboris postulationem laboris intentione altioris, temperatura coefficiens positiva est; potentia transistoris crystalli quantumcumque pecuniae resistit operanti intentioni operanti, conductor electrica operandi postulationem laboris intentione inferior est, et temperatura negativam coefficientem habet.

V, maximam vim influunt

Virtus MOSFET in commutatione potentiae copiae ambitus potentiam copiam circuit, potentiam ambitus, copiam ambitus, vim, copiam transitum, in operando et firmum opus in medio, vim maximam fluere inferiorem; et potentia transistoris crystallini in operatione et operis firmi in medio, quo virtus maxima fluit altior.

VI, Product pretium

Sumptus virtutis MOSFET leviter superior est; Sumptus potentiae cristallinae triode paulo inferiori est.

7、Penetratio effectus

Virtus MOSFET acumen nullum habet effectum; virtus transistor crystallum penetrationis effectum habet.

VIII, damnum switching

MOSFET mutandi damnum non magnum est; potentia crystalli transistoris mutandi damnum relative magnum est.

Praeterea, maior pars potentiae MOSFET integratae concussionis diode absorbentis, dum bipolaris potentiae crystalli transistoris fere nullae integratae incursus absorbentis diode. MOSFET concussus absorbens diode potest etiam esse magnes universalis ad mutandi vim copiam circuitus magnetis gyros ad dandam potentiam angulum factoris. virtutis fluunt salutis alvei. Effectus campi tubus in concursu absorbentis diodae in toto processu conversionis cum diode generali ut existentia e converso recuperationis currentis fluxus, hoc tempore diode ab una parte ad exhauriendum fontem polum medium positivi substantialis. oriuntur in opere requisita intentionis operativae, contra, et vicissim fluunt currentis recuperationis.