Circuitus situ applicationis mosfet

Insignium pluma ofmosfetCommutatio est, ita late in variis circuitibus adhiberi potest qui commutationes electronicas requirunt, ut commutatio commeatuum et circuitus motorum coegi. Hodie, mosfet ambitus situ applicatio;

1, humilis applicationes intentione

Cum copia potentiae 5V utens, si totem poli structuram traditam adhibeatur, ob guttam transistoris voltage esse solum circiter 0.7V, ipsa intentione tandem portae onusta est tantum 4.3V, hoc tempore, si velimus. Mosfet cum intentione 4.5V, totum circuitum habebit certum periculum. Idem problema evenit, cum 3V vel alia copia potentiae humilitatis intentione usus est.

2, ampla applicationes intentione

In vita nostra cotidiana, intentione quam inputamus non est determinatum valorem, tempore vel aliis rebus afficietur. Hic effectus causat pwm ambitum ut valde instabilem intentionem ad mosfet pellendum praebeat. Itaque ut transistores permittant homines voltages ad portam altam tuto operari, multimosfetshodie aedificaverunt-in intentione regulatores qui limitant portam intentionis. Ad hoc punctum, cum copia coegi voltage moderatoris intentionem suppeditat, notabilis quantitas virtutis statice consummationis occurrit. Eodem tempore, si porta voltage simpliciter reducta est utens principium dividentis resistor voltage, input voltatio erit relative alta et bene operabitur. Cum initus voltage minuatur, porta intentione non sufficit, inde in conductione incompleta et consummatio potentiae augetur.