Causae et praeventionis MOSFET culpae

Duo causaeof MOSFET delictum;

Defectum intentionis: hoc est, BVdss voltatio inter exhaurire et fontem superat intentionem aestimatamMOSFET et pervenit quadam capacitate deficere in MOSFET.

Porta intentione Deficio: Porta laborat spica abnormis voltage, unde in porta dolor accumsan defectum.

Collapse culpa (defectum voltage)

Quidnam est damnum NIVIS? Plane,a MOSFET modus defectus creatus est ex superpositione inter bus voltages, transformator reflexionis voltages, spicae voltages, etc. et MOSFET. In summa, defectus communis est cum voltatio ad fontem exhaurie-MoSFET valorem suum determinatum intentionis excedit et ad quemdam modum energiae pervenit.

NIVIS CASUS ne damnum;

-Reduce dosis tur. In hac industria, plerumque per 80-95% minuitur. Elige secundum condiciones et lineas prioritatum societatis praestat.

-Reflective voltage est rationabile.

-RCD, TVS effusio consilii ambitus rationabilis est.

- Princeps current wiring quam maximas esse debet ad inductionem parasiticam obscuratis.

-Select resistor Rg portae convenientem.

-Add RC debilitare vel effusio Zener diode pro alta potentia commeatus prout opus est.

Causae et praeventionis MOSFET culpa (I)

Porta intentione Deficio

Tres causae principales sunt enormiter altae voltages: electricitatis statice in productione, translatione et congregatione; alta voltage resonantia generatur ex parametris parametris instrumentorum et circuituum in operatione virtutis systematis; et transmissio altae intentionis per Ggd ad malesuada euismod durante summo intentione impulsus (vitium quod est communius in fulgure tentationis percutiens).

Porta vitia intentione prohibeat;

Praesidium inter portam et fontem cura: Impedimentum inter portam et fontem nimis alta, subita mutatio intentionis inter portam et fontem portae coniungitur per capacitatem inter electrodes, inde in altissima intentione UGS superordinationis; ducens ad super- portam dispositionem. Damnum oxidative permanens. Si UGS in intentione transeunti positiva est, machina quoque errores causare potest. Ex hoc fundamento, impedimentum portae circuire debet convenienter reduci et debilitare resistor vel 20V intentione stabiliens coniungi debet inter portam et fontem. Diligenter cavendum est ne operandi ianua aperta sit.

Cura tutelae inter fistulas emissiones: Si inductor in circuitione sit, subitae mutationes in vena lacus (di/dt) cum aversa unitas fiet in lacus voltage superfluentis bene supra copiam voltage, damnum unitatis. Praesidium includere debet Fibulae Zener, RC Fibulae, seu RC ambitus suppressionis.