RS1E281BN RS1E280BN RS1E280GN RS1E301GN RS1E321GN RS1E350BN RS1E350GN PK610SA PK510BA MOSFETs
MOSFET productum overview
ROHM RS1E281BN voltage BVDSS est 30V, current ID est 80A, resistentia interna RDSON est 2.3mΩ.
ROHM RS1E280BN voltatio BVDSS est 30V, current ID est 80A, resistentia interna RDSON est 2.3mΩ.
ROHM RS1E280GN voltage BVDSS est 30V, current ID est 80A, resistentia interna RDSON est 2.6mΩ.
ROHM RS1E301GN voltage BVDSS est 30V, current ID est 80A, resistentia interna RDSON est 2.2mΩ.
ROHM RS1E321GN voltage BVDSS est 30V, current ID est 80A, resistentia interna RDSON est 2.1mΩ.
ROHM RS1E350BN voltatio BVDSS est 30V, current ID est 80A, resistentia interna RDSON est 1.7mΩ.
ROHM RS1E350GN voltage BVDSS est 30V, current ID est 80A, resistentia interna RDSON est 1.76mΩ.
NIKO PK610SA voltage BVDSS est 30V, current ID est 83A, resistentia interna RDSON est 2.8mΩ.
NIKO PK510BA voltage BVDSS est 30V, current ID est 86A, resistentia interna RDSON est 3.3mΩ.
numero materiae correspondentes
Intentione BVDSS de WINSOK WSD30140DN56 FET est 30V, current ID est 85A, resistentia interna RDSON est 1.7mΩ, N-alveus, et sarcina DFN5*6-8.
MOSFET applicationem agri
E-cigarette FET, wireless incurrens FET, fucus FET, medicinae FET, currus increpans FET, controller FET, digital product FET, parva familia adjumenta FET, dolor electronics FET, etc.