FDC634P Si3443DDV PMDT670UPE Medium et humilis potentia MOSFETs
MOSFET productum overview
DE FDC634P intentione BVDSS est -20V, current ID est -3.5A, resistentia interna RDSON est 80mΩ
VISHAY Si3443DDV intentione BVDSS est -20V, current ID est -4A, resistentia interna RDSON est 90mΩ
NXP PMDT670UPE voltage BVDSS est -20V, current ID est 0.55A, resistentia interna RDSON est 850mΩ
numero materiae correspondentes
Intentione BVDSS de WINSOK WST2011 FET est -20V, current ID est -3.2A, resistentia interna RDSON est 80mΩ, Dual P-alveus, et sarcina est SOT-236L.
MOSFET applicationem agri
E-cigarette MOSFET, controller MOSFET, digital product MOSFET, parva familia adjumenta MOSFET, dolor electronicis MOSFET.
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