BSC050N03MSG CSD17327Q5A CSD17307Q5A PH2520U TPH4R803PL TPH3R203NL PJQ5410 AP3D5R0M PDC3803R MOSFETs
MOSFET productum overview
INFINEON BSC050N03MSG Intentione BVDSS est BSC050N03MSGV, current ID est 80A, resistentia interna RDSON est 6.3mΩ.
TI CSD17327Q5A intentione BVDSS est 30V, current ID est 85A, resistentia interna RDSON est 12.5mΩ.
TI CSD17307Q5A intentione BVDSS est 30V, current ID est 73A, resistentia interna RDSON est 12.8mΩ.
NXP PH2520U intentione BVDSS est 20V, current ID est 100A, resistentia interna RDSON est 2.7mΩ.
TOSHIBA TPH4R803PL intentione BVDSS est 30V, current ID est 90A, resistentia interna RDSON est 6.2mΩ.
TOSHIBA TPH3R203NL intentione BVDSS est 30V, current ID est 84A, resistentia interna RDSON est 4.7mΩ.
PANJIT PJQ5410 voltatio BVDSS est 30V, current ID est 80A, resistentia interna RDSON est 9mΩ.
AP3D5R0M voltage BVDSS est 30V, current ID est 74A, resistentia interna RDSON est 11.5mΩ.
Voltatio BVDSS ipsius PDC3803R est 30V, current ID est 85A, resistentia interna RDSON est 9.5mΩ.
numero materiae correspondentes
Intentione BVDSS de WINSOK WSD30140DN56 FET est 30V, current ID est 85A, resistentia interna RDSON est 1.7mΩ, N-alveus, et sarcina DFN5*6-8.
MOSFET applicationem agri
E-cigarette MOSFET, wireless præcipiens MOSFET, fucum MOSFET, medici MOSFET, currus increpans MOSFET, moderatoris MOSFET, productum digitales MOSFET, adjumenta parva domus MOSFET, dolor electronicorum MOSFET, etc.
