In statu, custodia photographica (ratio custodiae ratio) technologiae magis magisque provecta est, et AI integrans definitio alta signum facta est.In futurum expectatur ut plus intelligentes fiant, arcte cum rerum Interrete coniunguntur, securitatem melioris ac analyseos facultates datas, et agros urbium callidorum ac domesticarum securitatis expandunt.
MOSFETs provocationes in cura camerarum (securitates camerarum) provocat ac susceptibiles sunt ad scelerisque damnum quod stabilitatem afficit.Vis efficientiae sufficientis ad degradationem perficiendam ducere potest, et ambigua intentione sentire, augere difficultatem et sumptus conservationem, limitare applicationis eius in ratiociniis videndi notis summus effectus.Usura WINSOK MOSFET adiuvare poterit supra difficultates solvendas.
APPLICATIO WINSOK mediae et infimae intentionis MOSFET in retis monitoribus, applicationis principalis exempla:
| Pars numerus | Configurationis | Type | VDS | ID (A) | VGS(v). | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | sarcina | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Maximilianus. | Min. | Typ. | Maximilianus. | Typ. | Maximilianus. | (pF) | ||||
| Unius | P-Ch | -20 | -2.9 | -0.3 | -0.5 | -1 | - | - | 332 | SOT-23N | |
| Unius | P-Ch | -20 | -3.4 | -0.5 | -0.7 | -1.2 | - | - | 420 | DFN2X2-6L | |
| Dual+ESD | N-Ch | 20 | 11 | 0.3 | 0.65 | 1 | - | - | 1256 | DFN2X5 | |
Aliae notae materiales numeri respondentibus supradictis WINSOKMOSFETsunt:
Numeri materiales respondentes WINSOK MOSFET WST3423 hi sunt: AOS AO3413, AO3415A, AO3415A, AO3419, AO3423, AO3435, AO3493, AO3495, AO3499, AO21115C.TOSHIBA SSM3J338R.
Numeri materiales respondentes WINSOK MOSFET WSD8823DN22 sunt: AOS AON2405. Onsemi, FAIRCHILD NTLUS3A90P.STMicroelectronics STL4P3LLH6.Nxperian PMFPB8032XP.TOSHIBA SSM6P49NU,SSM6P69NU.NIKO-SEM PB5C5SEM.
Numeri materiales respondentes WINSOK MOSFET WSD2012DN25 sunt: AOS AON5816, AON5820, AON5802BG.NIKO-SEM PE628HT,PE528BA,PE532DX,PE532DY.
Post tempus: Nov-13-2023
