In statu, custodia photographica (ratio custodiae video) technologia magis magisque provecta est, et AI integra definitio altaque definitio vexillum facta est. In futurum, exspectatur ut magis intelligentes, arcte cum rerum Interrete coniungantur, securitatis et analyseos facultates meliores fiant, et agros urbium callidiorum et securitatis domesticae augeant.
MOSFETs provocationes in cura camerarum (securitates camerarum) provocat ac susceptibiles sunt ad scelerisque damnum quod stabilitatem afficit. Vis efficientiae sufficientis ad degradationem perficiendam ducere potest, et ambigua intentione sentire, augere difficultatem et sumptus sustentationem, limitare applicationis eius in ratiociniis video circumscriptionis altioris effectus. Usura WINSOK MOSFET adiuvare poterit supra difficultates solvendas.
APPLICATIO WINSOK mediae et infimae intentionis MOSFET in retis monitoribus, applicationis principalis exempla:
| Pars numerus | Configurationis | Type | VDS | ID (A) | VGS(v). | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | sarcina | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Maximilianus. | Min. | Typ. | Maximilianus. | Typ. | Maximilianus. | (pF) | ||||
| Unius | P-Ch | -20 | -2.9 | -0.3 | -0.5 | -1 | - | - | 332 | SOT-23N | |
| Unius | P-Ch | -20 | -3.4 | -0.5 | -0.7 | -1.2 | - | - | 420 | DFN2X2-6L | |
| Dual+ESD | N-Ch | 20 | 11 | 0.3 | 0.65 | 1 | - | - | 1256 | DFN2X5 | |
Aliae notae materiales numeri respondentibus supradictis WINSOKMOSFETsunt:
Numeri materiales respondentes WINSOK MOSFET WST3423 sunt: AOS AO3413, AO3415A, AO3415A, AO3419, AO3423, AO3435, AO3493, AO3495, AO3499, AO21115C.TOSHIBA SSM3J338R.
Numeri materiales respondentes WINSOK MOSFET WSD8823DN22 sunt: AOS AON2405. Onsemi, FAIRCHILD NTLUS3A90P.STMicroelectronics STL4P3LLH6.Nxperian PMFPB8032XP.TOSHIBA SSM6P49NU,SSM6P69NU.NIKO-SEM PB5C5LW.
Numeri materiales respondentes WINSOK MOSFET WSD2012DN25 sunt: AOS AON5816, AON5820, AON5802BG.NIKO-SEM PE628HT,PE528BA,PE532DX,PE532DY.
Post tempus: Nov-13-2023
