Celeriter technologiam increpans, ut nucleus instrumenti electronici moderni pars, celeriter enucleatur et evolvitur. Agitati ieiunium mercatum praecipientes, industries ut smartphones et vehiculis electricis, magis magisque exigunt solutiones ieiunium et efficientes increpantes. Innovatio in technologiam celeriter praecipiens non solum in meliore impetu tendit, sed etiam salutem confirmat. Futurum spectans, celeriter technologiam denuntians componetur cum technicae artis wireless et efficaciore pugna technicae artis ad consequendam saltum qualitativum ac utentes commodius et environmentally- amicae experientiam adferent. Cum technologiae evolutionis et mercaturae expansio, industria praecipiens celeriter expectatur ut celeri incremento conservetur.
Cum de applicatione loquimurMOSFETin technologiam celeriter increpans, plures sunt dolores.
Imprimis, quia celeriter incurrentes magnam venam requiruntMOSFETvalde calefaciet, et quomodo de hoc calore fit magnum problema. deinde etiam provocationes efficientiae sunt. Cum celeriter commutandum, MOSFET facile partem suae energiae amittit, quae efficientiam increpans afficit. Insuper apparatu celeriter praecipientes sperat quam minimum esse, sed MOSFET exiguum esse et etiam ad tractandum cum difficultate caloris. Quia MOSFET cito permutat, potest cum aliis instrumentis electronicis impedire, quod etiam problema est. Denique in ambitu celeriter incurrentis necessitates altas habet in intentione et impetu MOSFETs resistendi, quod est experimentum faciendi. In hoc ambitu diu laborantes etiam vitam suam et constantiam eorum officio afficere possunt. In summa, quamvis MOSFET critica pro celeriter incurrentis est, multae provocationes facit.
WINSOKMOSFET ut supra problemata solvenda adiuvare possit. Praecipua applicationis exempla WINSOK MOSFET in celeriter praecipientes sunt:
| Pars numerus | Configurationis | Type | VDS | ID (A) | VGS(v). | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | sarcina | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Maximilianus. | Min. | Typ. | Maximilianus. | Typ. | Maximilianus. | (pF) | ||||
| Unius | N-Ch | 30 | 50 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 6.7 | 8.5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
| Unius | P-Ch | -30 | -40 | -1.3 | -1.8 | -2.3 | 11 | 14 | 1380 | DFN3X3-8 | |
| Unius | N-Ch | 60 | 18 | 1 | 2 | 3 | 7 | 9 | 3760 | SOP-8 | |
| Unius | N-Ch | 100 | 16 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 8.9 | 11 | 4000 | SOP-8 | |
| Unius | P-Ch | -30 | -8.2 | -1.5 | -2 | -2.5 | 16 | 20 | 2050 | SOP-8 | |
| Unius | P-Ch | -30 | -13 | -1.2 | -2 | -2.5 | 9.6 | 15 | 1550 | SOP-8 | |
| N+P | N-Ch | 30 | 7 | 1 | 1.5 | 2.5 | 18 | 28 | 550 | SOP-8 | |
| P-Ch | -30 | -6 | -1 | -1.5 | -2.5 | 30 | 38 | 645 | |||
| Unius | N-Ch | 100 | 85 | 2 | 3 | 4 | 10 | 13 | 2100 | TO-220 | |
Aliae notae materiales numeri respondentibus superioribus WINSOK MOSFET sunt:
Numeri materiales respondentes WINSOK MOSFET WSD3050DN sunt: AOS AON7318, AON7418, AON7428, AON7440, AON7520, AON7528, AON7544, AON7542. Onsemi, FAIRCHIS NTTFS4939N,NTTFS4C08N.VISHAY SiSA84DN.P.NXP-J-J-J Q4408P.NIKO- SEM PE5G6EA.
Numeri materiales respondentes WINSOK MOSFET WSD30L40DN sunt: AOS AON7405, AONR21357, AON7403, AONR21305C.ST Microelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEM P1203EEA,PE507BA.
Numeri materiales respondentes WINSOK MOSFET WSP6020 sunt: AOS AO4262E, AO4264E, AO4268. Onsemi, FAIRCHILD FDS86450.PANJIT PJL9436.NIKO-SEM P0706BV.Potens Semiconductor PDS6904-5.
Numeri materiales respondentes WINSOK MOSFET WSP16N10 sunt: AOS AO4290, AO4290A, AO4294, AO4296.VISHAY Si4190ADY.Potens Semiconductor PDS0960.DINTEK ELECTRONICS DTM1012.
Numeri materiales respondentes WINSOK MOSFET WSP4435 hi sunt: AOS AO4335, AO4403, AO4405, AO4411, AO4419, AO4435, AO4449, AO4459, AO4803, AO4803A, AO4807, AO4813.Onsemi, FAIRCHILD FDS4465BZ,FDS6685. VISHAY Si4431SP3LLH6. , STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.DINTEK ELECTRONICS DTM4435,DTM4437.
Numeri materiales respondentes WINSOK MOSFET WSP4407 sunt: AOS AO4407, AO4407A, AOSP21321, AOSP21307. Onsemi, FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.ST Microelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6,STS6P3LLH6 inopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA ,P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.DINTEK ELECTRONICS DTM4407, DTM4415, DTM4417.
Numeri materiales respondentes WINSOK MOSFET WSP4606 sunt: AOS AO4606, AO4630, AO4620, AO4924, AO4627, AO4629, AO4616.Onsemi, FAIRCHILD ECH8661, FDS8958A.VISHAY Si4554DY.PANJIT PJL9606.Sinopower SM4901CSK5003QV.Potens SEM4901CSK5003QV. DINTEK ELECTRONICS DTM4606, DTM4606BD, DTM4606BDY.
Numeri materiales respondentes WINSOK MOSFET WSR80N10 sunt: AOS AOTF290L.Onsemi, FAIRCHILD FDP365IU.ST Microelectronics STP80N10F7.Nxperian PSMN9R5-100PS.INFINEON,IR IPP086N10N3 G ,IPP086N10N9, IPP086N10N9, IPP086N10N9 1.Potens Semiconductor PDP0966.
Post tempus: Nov-28-2023
