In electronicis industriae et automation, applicatioMOSFETs(Metal-oxide-semiconductor agri-effectus transistores) factor praecipuus factus est in meliori electronic celeritate regulatores perficiendos (ESR). Hic articulus explorabit quomodo MOSFETs operantur et quomodo partes vitalis celeritatis electronicae ludunt.
Praecipuum opus MOSFET principium:
MOSFET fabrica semiconductor est quae fluxum venae electrici in vel off per intentionem imperium vertit. In celeritate electronic regulatores MOSFETs adhibentur ut elementa mutandi ad cursum currentem ad motorem moderandum, certa potestate celeritatis motoris permittens.
Applications MOSFETs in celeritate electronic regulatores:
Inter has praecipuas commutationes celeritatum et facultatum hodiernarum efficientium adhibitis, MOSFETs late usi sunt in electronicarum velocitate regulatores in circuitu PWM (Pulse Width Modulationis) in circuitibus. Haec applicatio efficit ut motor stabiliter et efficaciter sub variis conditionibus oneris operari possit.
ius MOSFET elige:
Cum ordinator electronicam celeritatem designans, MOSFET ius crucialum eligens est. Parametri ad considerandam includunt maximam voltage-fontis fontem (V_DS), maximum currentem continuum lacus (I_D), celeritatem mutandi, ac perficiendi scelerisque.
Hi sunt applicatio partium numerorum WINSOK MOSFETs in cursu electronicarum regulantium:
| Pars numerus | Configurationis | Type | VDS | ID (A) | VGS(v). | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | sarcina | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Maximilianus. | Min. | Typ. | Maximilianus. | Typ. | Maximilianus. | (pF) | ||||
| Unius | N-Ch | 30 | 50 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 6.7 | 8.5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
| Unius | P-Ch | -30 | -40 | -1.3 | -1.8 | -2.3 | 11 | 14 | 1380 | DFN3X3-8 | |
| Unius | N-Ch | 30 | 100 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 3.3 | 4 | 1350 | DFN5X6-8 | |
| Unius | N-Ch | 30 | 120 | 1.2 | 1.7 | 2.5 | 1.9 | 2.5 | 4900 | DFN5X6-8 | |
| Unius | N-Ch | 30 | 150 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 1.8 | 2.4 | 3200 | DFN5X6-8 | |
Numeri materiales respondentes sunt hi:
WINSOK WSD3050DN numerus materialis respondens: AOS AON7318,AON7418,AON7428,AON7440,AON7520,AON7528,AON7544,AON7542.Onsemi,FAIRCHILD NTTFS4939N,NTTFS4C08N.VISHAY SiSA84DN.Nxperian PSMN4408S.JPN4-303NL4408SH.P.NXP. NIKO-SEM PE5G6EA.
WINSOK WSD30L40DN numerus materialis respondens: AOS AON7405, AONR21357, AONR7403, AONR21305C. STMicroelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEMP1203EEA,PE507BA.
WINSOK WSD30100DN56 respondens numerus materialis: AOS AON6354,AON6572,AON6314,AON6502,AON6510.Onsemi,FAIRCHILD NTMFS4946N.VISHAY SiRA60DP,SiDR390DP,SiRA80DP,SiDR392DP.STMicroelectronics STL65DN3LLH0 SC016N03LSG,BSC014N03MSG,BSC016N03MSG.NXP NXPPSMN7R0- 30YL.PANJIT PJQ5424.NIKO-SEMPK698SA.Potens Semiconductor PDC3960X.
WINSOK WSD30160DN56 respondens numerus materialis: AOS AON6382,AON6384,AON6404A,AON6548.Onsemi,FAIRCHILD NTMFS4834N,NTMFS4C05N.TOSHIBA TPH2R903PL.PANJIT PJQ5426.NIKO-SEM PDC10BB.Potens Semiconductor PDC3902X.
WINSOK WSD30150DN56 numerus materialis respondentis: AOS AON6512, AONS32304. Onsemi, FAIRCHIA FDMC8010DCCM.NXP PSMN1R7-30YL.TOSHIBA TPH1R403NL.PANJIT PJQ5428. NIKO-SEM PKC26BB,PKE24BB.Potens Semiconductor PDC3902X.
Optimize observantiam celeritatis electronicae moderatoris:
Per optimizing condiciones operativas et de MOSFET ambitus designandos, exsecutio celeritatis electronicae moderatoris amplius emendari potest. Hoc includit sufficientem refrigerationem, eligendo congruum ambitum coegi, et curare ut alia in ambitu partes etiam ad requisita perficienda occurrere possint.
Post tempus: Oct-26-2023
