flashlights (DUXERIT flashlights) nunc notae sunt propter efficientiam altam, longam vitam et lucem fortem output.Progressio futurae trends ingeniosiores notas includere potest, sicut intensio levis aptabilis, industriae salutaris modos, et connectivity cum callidis machinis, ut utiliores ad operationes velit, subitis liberandas, et ad usum domesticum faciendo.
MOSFETdissipatio caloris faciem provocat in lampadibus lampadibus LED (luminibus ductus), praesertim in applicationibus summus potentiae.Possunt etiam subesse damnum e fluctuationibus currentibus, quae efficaciam et longitudinis lampadarum afficit.Praeterea magnitudo et sumptus MOSFETs magni ponderis sunt etiam in consilio et productione considerare.utensWINSOKMOSFET ut supra problemata solvenda adiuvare possit.
APPLICATIO WINSOK mediae et infimae intentionis MOSFET fistulae in flashlights DUCTUS, applicationis principalis exempla:
| Pars numerus | Configurationis | Type | VDS | ID (A) | VGS(v). | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | sarcina | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Maximilianus. | Min. | Typ. | Maximilianus. | Typ. | Maximilianus. | (pF) | ||||
| Unius+ESD | N-Ch | 20 | 6.5 | 0.4 | 0.7 | 1.1 | - | - | 1295 | SOT-2-3L | |
| Unius | P-Ch | -20 | -4.4 | -0.5 | -0.8 | -1 | - | - | 416 | SOT-2-3L | |
| Unius | P-Ch | -20 | -5.6 | -0.3 | -0.5 | -1 | - | - | 938 | SOT-2-3L | |
| Unius | P-Ch | -30 | -5.5 | -0.6 | - | -1.2 | 44 | 52 | 583 | SOT-2-3L | |
| Unius | N-Ch | 30 | 7 | 0.5 | 1 | 1.5 | - | - | 360 | SOT-89 | |
| Unius | N-Ch | 30 | 50 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 6.7 | 8.5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
| Unius | P-Ch | -20 | -75 | -0.4 | -0.6 | -1 | - | - | 3500 | DFN3X3-8 | |
| Unius | P-Ch | -30 | -40 | -1.3 | -1.8 | -2.3 | 11 | 14 | 1380 | DFN3X3-8 | |
Aliae notae materiales numeri respondentibus superioribus WINSOK MOSFET sunt:
Numeri materiales respondentes WINSOK MOSFET WST3416 sunt: AOS AO3416. Onsemi, FAIRC2 NTR3C21NZ.VISHAY Si2312CDS.DINTEK ELECTRONICORUM DTS2300A, DTS2312, DTS2314, DTS2316, DTS2322, DTS3214.
Numeri materiales numerorum respondentium WINSOK MOSFET WST2315 sunt: AOS AO3413, AO3415A, AO3415A, AO3419, AO3423, AO3435, AO3493, AO3495, AO3499, AO21115C.ONsemi, FAIRCHIS NTR3A30PZ.VISHAY Si2377EDS.TOSHIBA Pf.J-J-J .P.P.N.P.J.JP.JP.J.J .P. .P.P.J.J .J . Potens Semiconductor PDN2311S.DINTEK ELECTRONICS DTS2301A.
Numeri materiales respondentes WINSOK MOSFET WSD30L40 hi sunt: AOS AO3413, AO3415A, AO3415A, AO3419, AO3423, AO3435, AO3493, AO3495, AO3499, AO21115C.Onsemi, FAIRCHIS NTR3A30PZ. VISHAY Si2365EDS.TOSHIBA JJ3J3S3R3SHIBA JJ SS37S3R3SHIBA JSS3J3A30PZ. JA3457 .Potens Semiconductor PDEN2423S.DINTEK ELECTRONICS DTS3419, DTS2319, DTS2301A.
Numeri materiales respondentes WINSOK MOSFET WSD3050 sunt: AOS AO3407, AO3407A, AO3451, AO3401, AO3401A.VISHAY Si2343CDS.TOSHIBA SSM3J332R,SSM3J372R.Potens Semiconductor PDN2309S.DINTEK ELECTRONICS DTS3401A3401,DTSHIBA SSM3J332R,SSM3J372R.
Numeri materiales respondentes WINSOK MOSFET WST3401 sunt: Potens semiconductor PDK2314. DINTEK ELECTRONICS DTC3056,DTC3058,DTC5058.
Numeri materiales respondentes WINSOK MOSFET WSD20L75 sunt: AOS AON7318, AON7418, AON7428, AON7440, AON7520, AON7528, AON7544, AON7542. Onsemi, FAIRCHIS NTTFS4939N,NTTFS4C08N. VISHAY SiSA84DN.P.NXP-P-P-J-J-Nl. 4408P .NIKO- SEM PE5G6EA.
Numeri materiales respondentes WINSOK MOSFET WST3325 sunt: AOS AON7423. Onsemi, FAIRCHILD FDMC4D9P20X8.
Numeri materiales respondentes WINSOK MOSFET WSE3088 sunt: AOS AON7405, AONR21357, AONR7403, AONR21305C.STMicroelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P .NIKO-SEM P1203EEA,PE507BA.
Post tempus: Nov-26-2023
