Recentibus annis, potentiae copiae industriae ducitur, celeri incremento technologico et incremento postulationis solutionis energiae salutaris designatum est. Cum global impulsus ad sustineri posse, mercatus adoptionis DUCTUS systemata illustrandi signanter auxit, quae vicissim incrementum in potentiae industriae DUXERIT excitavit.
Iudicans de dynamica foro, industria testificatur inclinationem rectorum DUCITUM integrandi intelligentes et programmabiles functiones ut obviam crescentibus exigentiis solutionis acri accensis. Eventus IoT (Internet rerum) et AI (Intelligentia Artificialis) retia accendit magis implicata, cum rectoribus optimizing potentiae consummationis ducti et ad mutandas condiciones in reali tempore accommodans.
In potentia industriae DUXERIT coegi, efficientiam et celeritatem mutandiMOSFETs(Metal Oxide Semiconductor Field Effectus Transistores) cruciales sunt. Hae machinae semiconductores sunt pars integralis DUCTUS potentiae commeatus, cum altas venas minimis damnis tractare possunt, industriam operandi efficientem procurantes. Clavis technologiae MOSFET attributa, humilis in-resistentia et celeriter mutandi facultates, augendae potentiae copiam consiliorum, pactiones, certas et summus perficientur DUCTUS rectores efficiunt. Progressus in MOSFET consilio, quales sunt qui curam portae humilitatis praebent et effectionem scelerisque meliorem, pergunt ad solutiones potentiam illustrandam progressum DUCTUS cum umbilico in sustinendo, industria efficiente et applicationibus efectis effectivis repellere.
ApplicatioWINSOKMOSFET in DUCTUS copiarum potentiarum copiae, exempla principalia applicata sunt:
| Pars numerus | Configurationis | Type | VDS | ID (A) | VGS(v). | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | sarcina | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Maximilianus. | Min. | Typ. | Maximilianus. | Typ. | Maximilianus. | (pF) | ||||
| Unius | N-Ch | 30 | 7 | 0.5 | 0.8 | 1.2 | - | - | 572 | SOT-2-3L | |
| Dual | N-Ch | 60 | 6.5 | 1 | 2 | 3 | 43 | 52 | 870 | SOP-8 | |
| N+P | N-Ch | 60 | 6.5 | 1 | 2 | 3 | 26 | 36 | 670 | SOP-8 | |
| P-Ch | -60 | -4.5 | -1.5 | -2 | -2.5 | 60 | 75 | 500 | |||
| Unius | N-Ch | 100 | 15 | 1.5 | 2 | 2.5 | 80 | 100 | 940 | TO-252 | |
| Unius | N-Ch | 100 | 26 | 2 | 3 | 4 | 32 | 45 | 1350 | TO-252 | |
Aliae notae materiales numeri respondentibus supradictis WINSOKMOSFETsunt:
Numeri materiales respondentes WINSOK MOSFET WST3400 sunt: AOS AO3400, AO3400A, AO3404. Onsemi, FAIRCHILD FDN537N. NIKO-SEM P3203CMG. Potens Semiconductor PDN3912S. DINTEK electronica DTS3406.
Numeri materiales respondentes WINSOK MOSFET WSP6946 sunt: AOS AO4828, AOSD62666E, AOSD6810. Onsemi, FAIRCHILD FDS5351. Potens Semiconductor PDS6810. DINTEK ELECTRONICS DTM4946.
Numeri materiales respondentes WINSOK MOSFET WSP6067 hi sunt: AOS AO4611, AO4612. Onsemi, FAIRCHILD ECH8690. P5506NV. Potens Semiconductor PDS6710. DINTEK ELECTRONICS DTM9906, DTM9908.
Numeri materiales correspondentes WINSOK MOSFET sunt: AOS, AO4611, AO4612.
Numeri materiales respondentes pro WINSOK MOSFET WSF15N10 sunt: AOS AOD478, AOD2922.Potens Semiconductor PDD0956.
De numero materiae correspondentesWINSOK MOSFETWSF40N10 sunt: AOS AOD2910E, AOD4126.Onsemi, FAIRCHILD FDD3672.NIKO-SEM P1210BDA,P1410BD.Potens Semiconductor PDD0904.DINTEK ELECTRONICS DTU40N10.
Super, DUCTUS agitator potentiae industriae libratur pro continua incremento, activitate efficientiae, technologiae provectae, et concursus globalis captiosae ac solutiones sustinendae illustrandae.
Post tempus: Nov-06-2023
